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1. (WO2009119951) LIGHT GENERATING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/119951    International Application No.:    PCT/KR2008/005927
Publication Date: 01.10.2009 International Filing Date: 09.10.2008
IPC:
H01L 33/16 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01)
Applicants: WOOREE LST CO., LTD. [KR/KR]; 636-3 Seongok-dong Danwon-gu Ansan-si, Gyeonggi-do 425-834 (KR) (For All Designated States Except US).
AHN, Do-Yeol [KR/KR]; (KR) (For US Only).
PARK, Seoung-Hwan [KR/KR]; (KR) (For US Only).
OH, Jae-Eung [KR/KR]; (KR) (For US Only)
Inventors: AHN, Do-Yeol; (KR).
PARK, Seoung-Hwan; (KR).
OH, Jae-Eung; (KR)
Agent: KIM, Choong-Seok; Rm. 2007 Seongji Heights II Bldg., 642-16 Yeoksam-dong, Gangnam-gu Seoul 135-910 (KR)
Priority Data:
10-2008-0027283 25.03.2008 KR
Title (EN) LIGHT GENERATING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF GÉNÉRATEUR DE LUMIÈRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
Abstract: front page image
(EN)A light generating device includes a substrate, an active layer, an N-type contact layer and a P-type contact layer. The active layer is formed on the substrate. The active layer includes nitride semiconductor crystal of which crystal axis is slant with respect to the substrate. The N-type contact layer provides the active layer with electrons. The P-type contact layer is disposed opposite to the N-type contact layer with respect to the active layer. The P-type contact layer provides the active layer with holes. Therefore, the light generating device generates a polarized light. Therefore, when the light generating device is employed by a backlight assembly of a liquid crystal display apparatus, light-using efficiency may be improved. Additionally, spontaneous emission is increased to improve internal quantum efficiency, and internal field of crystal is reduced to enhance light characteristics.
(FR)La présente invention concerne un dispositif générateur de lumière comprenant une couche active, une couche de contact dopée N, et une couche de contact dopée P. La couche active est formée sur le substrat. La couche active comprend un cristal semi-conducteur au nitrure dont l'axe est incliné par rapport au substrat. La couche de contact dopée N fournit des électrons à la couche active. La couche de contact dopée P est disposée de l'autre côté de la couche de contact dopée N par rapport à la couche active. La couche de contact dopée P fournit des trous à la couche active. Le dispositif générateur de lumière obtenu produit une lumière polarisée, ce qui permet une meilleure efficacité d'utilisation de la lumière lorsque le dispositif générateur de lumière est utilisé par un ensemble de rétro-éclairage d'un appareil à écran à cristaux liquides. En outre, l'invention permet une meilleure efficacité quantique interne de l'émission spontanée, et de meilleures caractéristiques de la lumière grâce à une réduction des cristaux du champ interne.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)