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1. (WO2009119411) PROCESS FOR PRODUCING ZNO SINGLE CRYSTAL, SELF-SUPPORTING ZNO SINGLE-CRYSTAL WAFER OBTAINED BY THE SAME, SELF-SUPPORTING WAFER OF MG-CONTAINING ZNO MIXED SINGLE CRYSTAL, AND PROCESS FOR PRODUCING MG-CONTAINING ZNO MIXED SINGLE CRYSTAL FOR USE IN THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/119411    International Application No.:    PCT/JP2009/055301
Publication Date: 01.10.2009 International Filing Date: 18.03.2009
IPC:
C30B 29/16 (2006.01), C30B 19/02 (2006.01), C30B 33/00 (2006.01), H01L 21/368 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. [JP/JP]; MITSUBISHI Building, 5-2, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, 1008324 (JP) (For All Designated States Except US).
NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE [JP/JP]; 2-1, Sengen 1-chome, Tsukuba-shi, Ibaraki, 3050047 (JP) (For All Designated States Except US).
SEKIWA, Hideyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KOBAYASHI, Jun [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MIYAMOTO, Miyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
OHASHI, Naoki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SAKAGUCHI, Isao [JP/JP]; (JP) (For US Only).
WADA, Yoshiki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SEKIWA, Hideyuki; (JP).
KOBAYASHI, Jun; (JP).
MIYAMOTO, Miyuki; (JP).
OHASHI, Naoki; (JP).
SAKAGUCHI, Isao; (JP).
WADA, Yoshiki; (JP)
Agent: KOBAYASHI, Hiroshi; ABE, IKUBO & KATAYAMA, Fukuoka Bldg. 9th Fl., 8-7, Yaesu 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040028 (JP)
Priority Data:
2008-080629 26.03.2008 JP
2008-080639 26.03.2008 JP
Title (EN) PROCESS FOR PRODUCING ZNO SINGLE CRYSTAL, SELF-SUPPORTING ZNO SINGLE-CRYSTAL WAFER OBTAINED BY THE SAME, SELF-SUPPORTING WAFER OF MG-CONTAINING ZNO MIXED SINGLE CRYSTAL, AND PROCESS FOR PRODUCING MG-CONTAINING ZNO MIXED SINGLE CRYSTAL FOR USE IN THE SAME
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MONOCRISTAL DE ZNO, TRANCHE DE MONOCRISTAL DE ZNO AUTOSUPPORTÉE OBTENUE PAR CE PROCÉDÉ, TRANCHE AUTOSUPPORTÉE DE MONOCRISTAL MIXTE DE ZNO CONTENANT MG ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MONOCRISTAL MIXTE DE ZNO CONTENANT MG DESTINÉ À ÊTRE UTILISÉ DANS CELLE-CI
(JA) ZnO単結晶の製造方法、それによって得られた自立ZnO単結晶ウエファー、並びに自立Mg含有ZnO系混晶単結晶ウエファーおよびそれに用いるMg含有ZnO系混晶単結晶の製造方法
Abstract: front page image
(EN)ZnO as a solute is mixed with a solvent, and the solute is melted. A seed-crystal substrate is brought into direct contact with the resultant melt, and the seed-crystal substrate is continuously or intermittently pulled up, whereby a ZnO single crystal can be grown on the seed-crystal substrate by liquid phase epitaxy. ZnO and MgO as solutes are mixed with a solvent, and the solutes are melted. A seed-crystal substrate is brought into direct contact with the resultant melt, and the seed-crystal substrate is continuously or intermittently pulled up to thereby grow an Mg-containing ZnO mixed single crystal by liquid phase epitaxy. Thereafter, the substrate is removed by abrasion or etching, and one c-plane side of the single crystal, said side having been grown by liquid phase epitaxy, is abraided or etched. Thus, the self-supporting wafer of an Mg-containing ZnO mixed single crystal can be obtained.
(FR)Selon l’invention, ZnO sous forme de soluté est mélangé avec un solvant et le soluté est amené à fondre. Un substrat germe cristallin est mis en contact direct avec la masse fondue résultante et le substrat germe cristallin est tiré en continu ou de façon intermittente, ce par quoi un monocristal de ZnO peut être amené à croître sur le substrat germe cristallin par épitaxie en phase liquide. ZnO et MgO en tant que solutés sont mélangés avec un solvant et les solutés sont amenés à fondre. Un substrat germe cristallin est mis en contact direct avec la masse fondue résultante et le substrat germe cristallin est tiré en continu ou de façon intermittente pour de cette manière faire croître un monocristal mixte de ZnO contenant Mg par épitaxie en phase liquide. Après cela, le substrat est enlevé par abrasion ou décapage et un côté dans le plan c du monocristal, ledit côté ayant été amené à croître par épitaxie en phase liquide, est abrasé ou décapé. Ainsi, la tranche autosupportée d'un monocristal mixte de ZnO contenant Mg peut être obtenue.
(JA) 溶質であるZnOと溶媒とを混合して融解させた後、得られた融液に、種結晶基板を直接接触させ、前記種結晶基板を連続的あるいは間欠的に引上げることによって、液相エピタキシャル成長法によりZnO単結晶を前記種結晶基板上に成長させることができる。また、溶質であるZnOおよびMgOと溶媒とを混合して融解させた後、得られた融液に、種結晶基板を直接接触させ、前記種結晶基板を連続的あるいは間欠的に引上げることによって液相エピタキシャル成長法によりMg含有ZnO系混晶単結晶を成長させ、その後、基板を研磨またはエッチングで除去し、前記単結晶の液相エピタキシャル成長した-c面側を研磨あるいはエッチングすることにより、上記自立Mg含有ZnO系混晶単結晶ウエファーを得ることができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)