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1. (WO2009119357) EPITAXIAL SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT, SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND PROCESS FOR PRODUCING EPITAXIAL SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/119357    International Application No.:    PCT/JP2009/054952
Publication Date: 01.10.2009 International Filing Date: 13.03.2009
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), C30B 29/38 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/201 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
Applicants: NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 2-56 Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi, 4678530 (JP) (For All Designated States Except US).
MIYOSHI, Makoto [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KURAOKA, Yoshitaka [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUMIYA, Shigeaki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TANAKA, Mitsuhiro [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MIYOSHI, Makoto; (JP).
KURAOKA, Yoshitaka; (JP).
SUMIYA, Shigeaki; (JP).
TANAKA, Mitsuhiro; (JP)
Agent: YOSHITAKE, Hidetoshi; 10th floor, Sumitomo-seimei OBP Plaza Bldg., 4-70, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
Priority Data:
2008-075581 24.03.2008 JP
Title (EN) EPITAXIAL SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT, SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND PROCESS FOR PRODUCING EPITAXIAL SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) SUBSTRAT ÉPITAXIAL POUR ÉLÉMENT SEMICONDUCTEUR, ÉLÉMENT SEMICONDUCTEUR, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT ÉPITAXIAL POUR ÉLÉMENT SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の作製方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is an epitaxial substrate that can realize the preparation of an HEMT element which has good two-dimensional electron gas properties and can realize normally-off operation. The epitaxial substrate comprises a channel layer formed of a first group III nitride represented by Inx1Aly1Gaz1N wherein x1 + y1 + z1 = 1 and which has a composition satisfying x1 = 0 and 0 ≤ y1 ≤ 0.3. The epitaxial substrate further comprises a barrier layer formed of a second group III nitride represented by Inx2Aly2Gaz2N wherein x2 + y2 + z2 = 1 and which has a composition that falls within an area surrounded by four straight lines determined dependent upon the composition of the first group III nitride (AlN molar fraction) on a ternary phase diagram in which InN, AlN, and GaN constitute vertices. The barrier layer has a thickness of not more than 5 nm.
(FR)L’invention concerne un substrat épitaxial se prêtant à la préparation d'un élément HEMT, qui présente de bonnes propriétés du gaz d'électrons bidimensionnel (GE2D) et permet de réaliser une opération normalement bloquée. Le substrat épitaxial comprend une couche canal constituée d'un premier nitrure du groupe III représenté par la formule: Inx1Aly1Gaz1N, dans laquelle x1 + y1 + z1 = 1, et dont la composition correspond aux relations x1 = 0 et 0 ≤ y1 ≤ 0.3. Le substrat épitaxial comprend également une couche barrière constituée d'un second nitrure du groupe III représenté par la formule: Inx2Aly2Gaz2N, dans laquelle x2 + y2 + z2 = 1, et dont la composition se situe dans une aire entourée de quatre lignes droites déterminées en fonction de la composition du premier nitrure du groupe III (fraction molaire d'AlN) sur un diagramme de phase ternaire dans lequel InN, AlN et GaN constituent des sommets. La couche barrière présente une épaisseur d'au plus 5 nm.
(JA) 良好な二次元電子ガス特性を有しかつノーマリーオフ動作可能なHEMT素子を作製できるエピタキシャル基板を提供する。チャネル層を、Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1=1)で表される第1のIII族窒化物であって、x1=0、0≦y1≦0.3で定まる範囲内の組成を有するように形成し、障壁層を、Inx2Aly2Gaz2N(x2+y2+z2=1)で表される第2のIII族窒化物であって、InN、AlN、GaNを頂点とする三元状態図上において、第1のIII族窒化物の組成(AlNモル分率)に応じて定まる4つの直線にて囲まれる範囲内にその組成があるように、かつ、厚みが5nm以下であるあるように形成する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)