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1. (WO2009119201) RESIST UNDERLAYER FILM, COMPOSITION FOR RESIST UNDERLAYER FILM FORMATION, AND METHOD FOR RESIST UNDERLAYER FILM FORMATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/119201    International Application No.:    PCT/JP2009/052931
Publication Date: 01.10.2009 International Filing Date: 19.02.2009
IPC:
G03F 7/11 (2006.01), C08G 8/20 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: JSR Corporation [JP/JP]; 6-10, Tsukiji 5-chome, Chuo-ku, Tokyo, 1048410 (JP) (For All Designated States Except US).
KONNO, Yousuke [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YOSHIMURA, Nakaatsu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NAKASHIMA, Hiromitsu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MINEGISHI, Shin-ya [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KONNO, Yousuke; (JP).
YOSHIMURA, Nakaatsu; (JP).
NAKASHIMA, Hiromitsu; (JP).
MINEGISHI, Shin-ya; (JP)
Agent: KOJIMA, Seiji; JINGUHIGASHI ATSUTA Bldg.4F, 8-20, Jingu 3-chome, Atsuta-ku, Nagoya-sh, Aichi 4560031 (JP)
Priority Data:
2008-088277 28.03.2008 JP
Title (EN) RESIST UNDERLAYER FILM, COMPOSITION FOR RESIST UNDERLAYER FILM FORMATION, AND METHOD FOR RESIST UNDERLAYER FILM FORMATION
(FR) FILM DE SOUS-COUCHE DE RÉSERVE, COMPOSITION ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE CE FILM
(JA) レジスト下層膜及びレジスト下層膜形成用組成物並びにレジスト下層膜形成方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a resist underlayer film, which has excellent etching resistance and, particularly in a dry etching process, is less likely to cause bending of an underlayer film pattern, and can realize the transfer of a resist pattern onto a substrate to be processed faithfully with good reproducibility. Also disclosed are a composition for resist underlayer film formation and a method for resist underlayer film formation. The resist underlayer film is used in a multilayer resist process comprising forming a resist underlayer film on a substrate to be processed, forming a resist pattern on the resist underlayer film, then once transferring the resist pattern onto the resist underlayer film to form an underlayer film pattern, and then performing transfer onto the substrate to be processed, using the underlayer film pattern as an etching mask. The content of a hydrogen atom in the resist underlayer film is 20 to 30 atomic%.
(FR)La présente invention concerne un film de sous-couche de réserve qui a une excellente résistance à la gravure et qui, particulièrement durant un processus de gravure à sec, est moins susceptible d'entraîner la flexion du gabarit de film de sous-couche, et permet ainsi de réaliser le transfert d'un gabarit de réserve sur un substrat à traiter fidèlement et avec une bonne reproductibilité. La présente invention concerne également la composition et le procédé de formation de ce film de sous-couche de réserve. Ce film de sous-couche de réserve est utilisé dans un processus de réserve multicouche comprenant la formation de ce film sur un substrat à traiter, la formation d'un gabarit de réserve sur ce film, le transfert immédiat de ce gabarit de réserve sur le film pour former un gabarit de film de sous-couche, puis le transfert sur le substrat à traiter, en utilisant le gabarit de film de sous-couche comme masque de gravure. La teneur en atomes d'hydrogène du film de sous-couche de réserve est de 20 à 30 % d'atomes.
(JA) 本発明の目的は、エッチング耐性に優れ、特にドライエッチングプロセスにおいて、下層膜パターンが折れ曲がり難く、レジストパターンを忠実に再現性よく被加工基板に転写することが可能なレジスト下層膜及びレジスト下層膜形成用組成物並びにレジスト下層膜形成方法を提供することである。本発明のレジスト下層膜は、被加工基板上にレジスト下層膜を形成し、このレジスト下層膜上にレジストパターンを形成後、レジストパターンを一旦、レジスト下層膜に転写して下層膜パターンを形成した後、この下層膜パターンをエッチングマスクとして用いて被加工基板に転写する多層レジストプロセスに用いられるレジスト下層膜であって、このレジスト下層膜の水素原子の含有量は20~30atom%である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)