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1. (WO2009119124) PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/119124    International Application No.:    PCT/JP2009/050094
Publication Date: 01.10.2009 International Filing Date: 07.01.2009
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 16-5, Konan 2-chome, Minato-ku, Tokyo, 1088215 (JP) (For All Designated States Except US).
GOYA, Saneyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SASAKAWA, Eishiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MASHIMA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SAKAI, Satoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: GOYA, Saneyuki; (JP).
SASAKAWA, Eishiro; (JP).
MASHIMA, Hiroshi; (JP).
SAKAI, Satoshi; (JP)
Agent: FUJITA, Takaharu; 37F The Landmark Tower Yokohama 2-2-1, Minatomirai, Nishi-ku, Yokohama-shi Kanagawa 2208137 (JP)
Priority Data:
2008-088593 28.03.2008 JP
Title (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換装置
Abstract: front page image
(EN)Provided is a large-area photoelectric conversion device having a high conversion efficiency and an excellent mass-production efficiency. The photoelectric conversion device (100) includes a photoelectric conversion layer (3) containing a crystalline silicone layer formed on a substrate (1). The photoelectric conversion device (100) has a distribution in the substrate as follows: the crystalline silicone layer has a crystalline silicon i-layer (42); the average value of the Raman peak ratio of the Raman peak intensity of the crystalline silicone phase with respect to the Raman peak intensity of the non-crystalline silicon phase in the crystalline silicone i-layer (42) is not smaller than 4 and not greater than 8. The standard deviation of the Raman peak ratio is not smaller than 1 and not greater than 3; and the ratio of the region where the Raman peak ratio is not greater than 4 is not smaller than 0% and not greater than 15%. The photoelectric conversion layer (3) in the substrate (1) has a size not smaller than 1 m x 1 m. The average value of the Raman peak ratio in the crystalline silicone i-layer (42) is not smaller than 5 and not greater than 8. The standard deviation of the Raman peak ratio is not smaller than 1 and not greater than 3. The ratio of the region where the Raman peak ratio is not greater than 4 is not smaller than 0% and not greater than 10%.
(FR)L'invention porte sur un dispositif de conversion photoélectrique à aire importante présentant un rendement de conversion élevé et un excellent rendement massique de production. Le dispositif de conversion photoélectrique (100) comporte une couche de conversion photoélectrique (3) contenant une couche de silicium cristallin formée sur un substrat (1). Le dispositif de conversion photoélectrique (100) présente une distribution dans le substrat comme suit : la couche de silicium cristallin présente une couche de silicium cristallin i (42); la valeur moyenne du rapport de pic de Raman de l'intensité de pic de Raman de la phase de silicium cristallin par rapport à l'intensité de pic de Raman de la phase de silicium non cristallin dans la couche de silicium cristallin i (42) n'est pas inférieure à 4 et pas supérieure à 8. L'écart-type du rapport de pic de Raman n'est pas inférieur à 1 et pas supérieur à 3; et la proportion de la région dans laquelle le rapport de pic de Raman n'est pas supérieur à 4 n'est pas inférieure à 0 % et pas supérieure à 15 %. La couche de conversion photoélectrique (3) dans le substrat (1) présente une dimension non inférieure à 1 m x 1 m. La valeur moyenne du rapport de pic de Raman dans la couche de silicium cristallin i (42) n'est pas inférieure à 5 et pas supérieure à 8. L'écart-type du rapport de pic de Raman n'est pas inférieur à 1 et pas supérieur à 3. La proportion de la région dans laquelle le rapport de pic de Raman n'est pas supérieur à 4 n'est pas inférieure à 0 % et pas supérieure à 10 %.
(JA) 高変換効率を有し、量産性に優れた大面積光電変換装置を提供する。基板(1)上に結晶質シリコン層を含む光電変換層(3)を形成した光電変換装置(100)であって、結晶質シリコン層が結晶質シリコンi層(42)を有し、結晶質シリコンi層(42)における非晶質シリコン相のラマンピーク強度に対する結晶質シリコン相のラマンピーク強度の比であるラマンピーク比の平均値が4以上8以下、ラマンピーク比の標準偏差が1以上3以下、かつ、ラマンピーク比が4以下となる領域の割合が0%以上15%以下で表される基板面内分布を有する。基板(1)の光電変換層(3)を形成した面の大きさが1m角以上であり、結晶質シリコンi層(42)におけるラマンピーク比の平均値が5以上8以下、ラマンピーク比の標準偏差が1以上3以下、かつ、ラマンピーク比が4以下となる領域の割合が0%以上10%以下で表される基板面内分布を有する光電変換装置(100)。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)