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1. (WO2009119064) METHOD FOR PROCESSING A SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR CHIP, AND METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR CHIP HAVING A RESIN ADHESIVE LAYER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/119064    International Application No.:    PCT/JP2009/001277
Publication Date: 01.10.2009 International Filing Date: 24.03.2009
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/301 (2006.01), H01L 21/52 (2006.01)
Applicants: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka, 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
HAJI, Hiroshi; (For US Only).
ARITA, Kiyoshi; (For US Only)
Inventors: HAJI, Hiroshi; .
ARITA, Kiyoshi;
Agent: IWAHASHI, Fumio; c/o Panasonic Corporation, 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka, 5718501 (JP)
Priority Data:
2008-077309 25.03.2008 JP
2009-032174 16.02.2009 JP
Title (EN) METHOD FOR PROCESSING A SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR CHIP, AND METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR CHIP HAVING A RESIN ADHESIVE LAYER
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT D’UN SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE PUCE SEMI-CONDUCTRICE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE PUCE SEMI-CONDUCTRICE COMPORTANT UNE COUCHE ADHÉSIVE DE RÉSINE
(JA) 基板の加工方法および半導体チップの製造方法ならびに樹脂接着層付き半導体チップの製造方法
Abstract: front page image
(EN)In order to form a mask used in plasma dicing, which divides a semiconductor wafer into individual semiconductor chips by means of etching involving plasma processing, the following method is adopted: a liquid-repellent liquid is printed on an area to be etched on the back surface, thereby forming a liquid-repellent pattern from a liquid-repellent film; a liquid resin is supplied to the back surface on which the liquid-repellent pattern was formed, thereby forming a resin film on the areas with no liquid-repellent film, said resin film being thicker than the liquid-repellent film; and the resin film is cured, thereby forming a mask that covers the areas other than the areas to be removed by etching. This method allows low-cost formation of a mask for etching, without using a high-cost method such as photolithography.
(FR)Afin de former un masque utilisé dans le découpage par plasma, qui divise une plaquette semi-conductrice en puces semi-conductrices individuelles par gravure impliquant un traitement par plasma, le procédé suivant est adopté : un liquide repoussant les liquides est imprimé sur une zone à graver sur la surface arrière, formant ainsi un motif repoussant les liquides à partir d’une pellicule repoussant les liquides ; une résine liquide est appliquée sur la surface arrière sur laquelle le motif repoussant les liquides a été tracé, formant ainsi une pellicule de résine sur les zones sans pellicule repoussant les liquides, ladite pellicule de résine étant plus épaisse que la pellicule repoussant les liquides ; et la pellicule de résine est cuite, formant ainsi un masque qui recouvre les zones qui ne sont pas celles à retirer par gravure. Ce procédé permet la formation à bas coût d’un masque de gravure, sans utiliser de procédé coûteux comme la photolithographie.
(JA)半導体ウェハをプラズマ処理を用いたエッチングによって個片の半導体チップに分割するプラズマダイシングに用いられるマスク形成において、裏面のエッチングの対象となる領域に撥液性の液体を印刷して撥液膜より成る撥液パターンを形成し、この撥液パターンが形成された裏面に液状の樹脂を供給して撥液膜の存在しない領域にこの撥液膜の厚みよりも厚い膜厚の樹脂膜を形成し、さらにこの樹脂膜を硬化させてエッチングにおいて除去される領域以外を覆うマスクを形成する方法を採用する。これによりフォトリソグラフィ法などの高コストの方法を用いることなく、エッチングのためのマスクを低コストで形成することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)