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1. (WO2009118694) INTEGRATED 3D HIGH DENSITY AND HIGH QUALITY INDUCTIVE ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/118694    International Application No.:    PCT/IB2009/051240
Publication Date: 01.10.2009 International Filing Date: 25.03.2009
IPC:
H01F 17/00 (2006.01), H01L 25/065 (2006.01), H01L 27/08 (2006.01)
Applicants: NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60 NL-5656 AG Eindhoven (NL) (For All Designated States Except US).
BOUVIER, Stephane [FR/FR]; (FR) (For US Only).
SAVIN, Emmanuel [FR/FR]; (FR) (For US Only).
GUIRAUD, Lionel [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: BOUVIER, Stephane; (FR).
SAVIN, Emmanuel; (FR).
GUIRAUD, Lionel; (FR)
Agent: WILLIAMSON, Paul, L.; (GB)
Priority Data:
08290273.5 25.03.2008 EP
Title (EN) INTEGRATED 3D HIGH DENSITY AND HIGH QUALITY INDUCTIVE ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT INDUCTIF À HAUTE DENSITÉ ET HAUTE QUALITÉ 3D INTÉGRÉ
Abstract: front page image
(EN)The present invention describes a high density and quality inductive element, integrated in semiconductor substrate (in particular Si) by realizing a solenoid. A System In Package needs to integrate different passive components and dies to realize it. Inductive components are one type of the passives (see e.g. Fig. 1a,b). Inductive components on silicon substrate are known in the art. They are usually implemented in a planar spiral way so that they use available interconnection metal layers. These types of inductors are usable as long as they do not reach high value inductance (see e.g. Fig. 1c). When higher value and or quality factor is needed, SMD components or specific added process steps above existing substrate are necessary. These solutions increase overall cost, logistic and design complexity of System In Package (see e.g. Fig. 2).
(FR)La présente invention porte sur un élément inductif à haute densité et haute qualité, intégré dans un substrat semi-conducteur (en particulier Si) lors de la formation d'un solénoïde. Un système sous boîtier doit intégrer différents composants passifs et différentes puces pour sa réalisation. Des composants inductifs constituent un type des composants passifs (voir par exemple Fig. 1a, b). Des composants inductifs sur substrat en silicium sont connus dans l'art. Ils sont généralement mis en œuvre en forme de spirale plane de telle manière qu'ils utilisent des couches de métal d'interconnexion disponibles. Ces types de bobines d'inductance sont utilisables tant qu'ils n'atteignent pas des valeurs d'inductance élevées (voir par exemple Fig. 1c). Lorsqu'une valeur plus élevée et/ou un facteur de qualité plus élevé sont nécessaires, des composants SMD ou des étapes de traitement ajoutées spécifiques sur un substrat existant sont nécessaires. Ces solutions augmentent le coût global, la logistique et la complexité de conception de système sous boîtier (voir par exemple Fig. 2).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)