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1. WO2009108213 - METHOD FOR MANUFACTURING NON-VOLATILE MAGNETIC MEMORY

Publication Number WO/2009/108213
Publication Date 03.09.2009
International Application No. PCT/US2008/065067
International Filing Date 29.05.2008
IPC
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
11
Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02
using magnetic elements
14
using thin-film elements
G11C 11/14 (2006.01)
CPC
B82Y 10/00
B82Y 25/00
G11C 11/16
H01L 27/228
H01L 43/12
Applicants
  • YADAV TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 48430 Lakeview Boulevard Fremont, CA 94539, US (AllExceptUS)
  • RANJAN, Rajiv Yadav [US/US]; US (UsOnly)
  • KESHTBOD, Parviz [US/US]; US (UsOnly)
  • MALMHALL, Roger Klas [SE/US]; US (UsOnly)
Inventors
  • RANJAN, Rajiv Yadav; US
  • KESHTBOD, Parviz; US
  • MALMHALL, Roger Klas; US
Agents
  • IMAM, Maryam; 95 South Market Street Suite 570 San Jose CA 95113, US
Priority Data
12/040,82729.02.2008US
Publication Language English (EN)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING NON-VOLATILE MAGNETIC MEMORY
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MÉMOIRE MAGNÉTIQUE NON VOLATILE
Abstract
(EN)
In accordance with a method of the present invention, a method of manufacturing a magnetic random access memory (MRAM) cell and a corresponding structure thereof are disclosed to include a multi-stage manufacturing process. The multi-stage manufacturing process includes performing a front end on-line (FEOL) stage to manufacture logic and non-magnetic portions of the memory cell by forming an intermediate interlayer dielectric (ILD) layer, forming intermediate metal pillars embedded in the intermediate ILD layer, depositing a conductive metal cap on top of the intermediate ILD layer and the metal pillars, performing magnetic fabrication stage to make a magnetic material portion of the memory cell being manufactured, and performing back end on-line (BEOL) stage to make metal and contacts of the memory cell being manufactured.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication de cellule mémoire à accès direct magnétique (MRAM) et une structure correspondante permettant d'inclure un processus de fabrication en plusieurs étapes. Ce processus de fabrication en plusieurs étapes consiste à effectuer une étape d'unité de fabrication initiale (FEOL) destinée à fabriquer les parties logiques et non magnétiques de la cellule mémoire par formation d'une couche diélectrique intercouche (ILD) intermédiaire, par formation de colonnes métalliques intermédiaires intégrés dans la couche ILD intermédiaire, par dépôt d'un capuchon métallique conducteur au-dessus de la couche IDL intermédiaire et des colonnes métalliques, par réalisation d'une étape de fabrication magnétique pour réaliser une partie matériau magnétique de la cellule mémoire fabriquée et, à effectuer une étape d'unité de fabrication finale (BEOL) destinée à fabriquer le métal et les contacts de la cellule mémoire.
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