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1. (WO2009067687) SYSTEMS AND METHODS FOR PREPARATION OF EPITAXIALLY TEXTURED THICK FILMS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/067687    International Application No.:    PCT/US2008/084387
Publication Date: 28.05.2009 International Filing Date: 21.11.2008
IPC:
H01L 29/00 (2006.01), H01L 31/036 (2006.01)
Applicants: THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK [US/US]; 412 Low Memorial Library, 535 West 116th Street, New York, NY 10027 (US) (For All Designated States Except US).
IM, James, S. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: IM, James, S.; (US)
Agent: ANDREJ, Barbic; Wilmer Cutler Pickering Hale And Dorr LLP, 60 State Street, Boston, MA 02109 (US)
Priority Data:
60/989,729 21.11.2007 US
61/012,229 07.12.2007 US
Title (EN) SYSTEMS AND METHODS FOR PREPARATION OF EPITAXIALLY TEXTURED THICK FILMS
(FR) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS DE PRÉPARATION DE FILMS ÉPAIS TEXTURÉS PAR ÉPITAXIE
Abstract: front page image
(EN)The disclosed subject matter relates to the use of laser crystallization of thin films to create epitaxially textured crystalline thick films. In one or more embodiments, a method for preparing a thick crystalline film includes providing a film for crystallization on a substrate, wherein at least a portion of the substrate is substantially transparent to laser irradiation, said film including a seed layer having a predominant surface crystallographic orientation; and a top layer disposed above the seed layer; irradiating the film from the back side of the substrate using a pulsed laser to melt a first portion of the top layer at an interface with the seed layer while a second portion of the top layer remains solid; and re-solidifying the first portion of the top layer to form a crystalline laser epitaxial with the seed layer thereby releasing heat to melt an adjacent portion of the top layer.
(FR)L'invention concerne l'utilisation de la cristallisation par laser de films minces en vue de former des films épais cristallins texturés par épitaxie. Dans un ou plusieurs modes de réalisation, un procédé de préparation d'un film cristallin épais comprend les étapes qui consistent à prévoir un film de cristallisation sur un substrat, au moins une partie du substrat étant essentiellement transparente vis-à-vis du rayonnement laser, ledit film comprenant une couche de germination qui présente une orientation cristallographique de surface prédominante et une couche supérieure disposée au-dessus de la couche de germination; à irradier le film depuis l'arrière du substrat en utilisant un laser pulsé en vue de faire fondre la première partie de la couche supérieure à l'interface avec la couche de germination pendant qu'une deuxième partie de la couche supérieure reste solide; et à resolidifier la première partie de la couche supérieure pour former avec la couche de germination une épitaxie cristalline par laser pour ainsi libérer de la chaleur qui fera fondre une partie adjacente de la couche supérieure.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)