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1. (WO2009067672) ADAPTIVE ELECTROSTATIC DISCHARGE (ESD) PROTECTION OF DEVICE INTERFACE FOR LOCAL INTERCONNECT NETWORK (LIN) BUS AND THE LIKE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/067672    International Application No.:    PCT/US2008/084362
Publication Date: 28.05.2009 International Filing Date: 21.11.2008
IPC:
H02H 9/04 (2006.01), H01L 27/02 (2006.01)
Applicants: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED [US/US]; 2355 West Chandler Blvd., Chandler, AZ 85224-6199 (US) (For All Designated States Except US).
DEVAL, Philippe [FR/CH]; (CH) (For US Only).
BESSEUX, Patrick [FR/CH]; (CH) (For US Only).
YACH, Randy [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: DEVAL, Philippe; (CH).
BESSEUX, Patrick; (CH).
YACH, Randy; (US)
Agent: SLAYDEN, Bruce, W., II; King & Spalding LLP, 401 Congress Ave., Suite 3200, Austin, TX 78701 (US)
Priority Data:
60/989,514 21.11.2007 US
12/174,903 17.07.2008 US
Title (EN) ADAPTIVE ELECTROSTATIC DISCHARGE (ESD) PROTECTION OF DEVICE INTERFACE FOR LOCAL INTERCONNECT NETWORK (LIN) BUS AND THE LIKE
(FR) PROTECTION ADAPTATIVE CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES D'UNE INTERFACE DE DISPOSITIF POUR BUS DE RÉSEAU D'INTERCONNEXION LOCAL (LIN) ET SIMILAIRE
Abstract: front page image
(EN)Adaptive electrostatic discharge (ESD) protection of a device interface has very good ESD robustness when it is handled or when installed into or removed from a system. And has robust immunity to DPI, electromagnetic interference (EMI) and the like, when it is operational in a system. There is a significant capacitive coupling between the drain and gate of a ESD protection metal oxide semiconductor (MOS) device to enhance ESD protection and lower snap back voltage thereof whenever there is no (or a low level) DPI on the external connection to be protected. Whereupon when a significant DPI/EMI signal is detected on the external connection, the capacitive coupling between the drain and gate of the MOS ESD protection device is disconnected, bypassed or attenuated so that DPI/EMI immunity of the device is enhanced.
(FR)L'invention concerne une protection adaptative contre les décharges électrostatiques d'une interface de dispositif procurant une grande robustesse vis-à-vis des décharges électrostatiques lorsqu'elle est manipulée ou lorsqu'elle est installée dans un système ou retirée de celui-ci. Elle procure en outre une grande immunité à l'injection directe de puissance, aux interférences électromagnétiques (IEM) et similaire, lorsqu'elle est opérationnelle dans un système. Un couplage capacitif significatif se produit entre le drain et la grille d'un dispositif de protection MOS contre les décharges électrostatiques pour renforcer cette protection et diminuer sa tension de repliement en l'absence (ou en présence d'un faible niveau) d'injection directe de puissance sur la connexion externe à protéger. Lorsqu'un signal d'injection directe de puissance ou d'IEM significatif est détecté sur la connexion externe, le couplage capacitif entre le drain et la grille du dispositif MOS de protection contre les décharges électrostatiques est déconnecté, contourné ou atténué de façon à renforcer l'immunité du dispositif vis-à-vis du signal d'injection directe de puissance ou d'EMI.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)