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1. (WO2009067005) METHOD OF FABRICATION OF A BACK-CONTACTED PHOTOVOLTAIC CELL, AND BACK-CONTACTED PHOTOVOLTAIC CELL MADE BY SUCH A METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/067005    International Application No.:    PCT/NL2008/050732
Publication Date: 28.05.2009 International Filing Date: 18.11.2008
Chapter 2 Demand Filed:    21.09.2009    
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01)
Applicants: STICHTING ENERGIEONDERZOEK CENTRUM NEDERLAND [NL/NL]; Westerduinweg 3 NL-1755 LE Petten (NL) (For All Designated States Except US).
MIHAILETCHI, Valentin Dan [RO/NL]; (NL) (For US Only)
Inventors: MIHAILETCHI, Valentin Dan; (NL)
Agent: VAN WESTENBRUGGE, Andries; Nederlandsch Octrooibureau Postbus 29720 NL-2502 LS Den Haag (NL)
Priority Data:
2001015 19.11.2007 NL
Title (EN) METHOD OF FABRICATION OF A BACK-CONTACTED PHOTOVOLTAIC CELL, AND BACK-CONTACTED PHOTOVOLTAIC CELL MADE BY SUCH A METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE À CONTACT ARRIÈRE, ET CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE À CONTACT ARRIÈRE FABRIQUÉ PAR UN TEL PROCÉDÉ
Abstract: front page image
(EN)A method of manufacturing a photovoltaic cell, comprises: - providing a semiconductor substrate of a first conductivity type; - creating at least one via between a front side and a back side of the semiconductor substrate; - applying on the backside a front side contacting metal paste over the at least one via, the front side contacting metal paste comprising a first contacting metal; - annealing the semiconductor substrate so as to melt the first contacting metal, and during annealing, creating at least on the walls of the at least one via an alloy of the first contacting metal and the semiconductor substrate material.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque, qui comprend les opérations consistant à : se procurer un substrat semi-conducteur d'un premier type de conductivité; créer au moins un trou d'interconnexion entre un côté avant et un côté arrière du substrat semi-conducteur; appliquer sur le côté arrière une pâte métallique en contact avec le côté avant sur le ou les trous d'interconnexion, la pâte métallique en contact avec le côté avant comprenant un premier métal de contact; recuire le substrat semi-conducteur de façon à faire fondre le premier métal de contact, et pendant le recuit, créer au moins sur les parois du ou des trous d'interconnexion un alliage du premier métal de contact et du matériau de substrat semi-conducteur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)