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1. (WO2009066847) METHOD OF ALIGNING A WAFER AND METHOD OF MANUFACTURING A FLIP CHIP USING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/066847    International Application No.:    PCT/KR2008/003624
Publication Date: 28.05.2009 International Filing Date: 25.06.2008
IPC:
H01L 21/66 (2006.01)
Applicants: SECRON CO., LTD. [KR/KR]; 4-4, Chaam-dong, Cheonan-si, Chungnam 330-200 (KR) (For All Designated States Except US).
OH, Jung-Bae [KR/KR]; (KR) (For US Only)
Inventors: OH, Jung-Bae; (KR)
Agent: PARK, Young-Woo; 5F., Seil Building, #727-13 Yeoksam-dong, Gangnam-gu, Seoul 135-921 (KR)
Priority Data:
10-2007-0118393 20.11.2007 KR
Title (EN) METHOD OF ALIGNING A WAFER AND METHOD OF MANUFACTURING A FLIP CHIP USING THE SAME
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT D'ALIGNER UNE TRANCHE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PUCE RETOURNÉE À L'AIDE DE CE PROCÉDÉ
Abstract: front page image
(EN)In a method of aligning a wafer and a method of manufacturing a flip chip, a wafer on which a first alignment mark is formed and a template formed of an opaque material is prepared. The template has a through-hole formed at a position corresponding to that of the first alignment mark and a second alignment mark formed at a position spaced apart from the center of the through-hole by a first distance. The wafer and the template are disposed to be adjacent to each other, and a second distance between the first alignment mark observed through the through-hole and the second alignment mark is measured. After comparing the second distance with the first distance, and when the second distance is different from the first distance, at least one of the wafer and the template is moved to allow the second distance to be equal to the first distance.
(FR)Dans un procédé permettant d'aligner une tranche et un procédé de fabrication d'une puce retournée, une tranche sur laquelle un premier repère d'alignement est formé et un modèle constitué d'une matière opaque sont préparés. Le modèle est doté d'un trou traversant, formé à une position correspondant à celle du premier repère d'alignement, et d'un second repère d'alignement, formé à une position éloignée du centre du trou traversant par une première distance. La tranche et le modèle sont disposés de façon à être adjacents l'un par rapport à l'autre et une seconde distance entre le premier repère d'alignement observé à travers le trou traversant et le second repère d'alignement est mesurée. Après comparaison de la seconde distance et de la première distance, et lorsque la seconde distance est différente de la première distance, la tranche et/ou le modèle sont déplacés de manière à ce que la seconde distance soit égale à la première distance.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: Korean (KO)