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1. (WO2009066810) METHOD AND APPARATUS FOR DEPOSITION OF DIFFUSION THIN FILM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/066810    International Application No.:    PCT/KR2007/005918
Publication Date: 28.05.2009 International Filing Date: 22.11.2007
IPC:
C23C 14/46 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01)
Applicants: INTELLIGENT SYSTEM INC. [KR/KR]; #203, Myongji e-SPACE #, 218, Anyang-dong, Manan-gu, Anyang-city, Gyeonggi-do 430-010 (KR) (For All Designated States Except US).
BAE, Sang-Youl [KR/KR]; (KR) (For US Only).
CHOI, Si-Young [KR/KR]; (KR) (For US Only).
CHUNG, Sung-Youp [KR/KR]; (KR) (For US Only).
CHOI, Jung-Hyun [KR/KR]; (KR) (For US Only)
Inventors: BAE, Sang-Youl; (KR).
CHOI, Si-Young; (KR).
CHUNG, Sung-Youp; (KR).
CHOI, Jung-Hyun; (KR)
Agent: KIM, Kuk-Jin; 2nd Fl. Keimyung Bldg., 1178-2, Guwol 1-dong, Namdong-gu, Incheon 405-835 (KR)
Priority Data:
10-2007-0118741 20.11.2007 KR
Title (EN) METHOD AND APPARATUS FOR DEPOSITION OF DIFFUSION THIN FILM
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE DÉPÔT DE COUCHE MINCE DE DIFFUSION
Abstract: front page image
(EN)This invention relates to a method and apparatus for deposition of a diffused thin film, useful in the fabrication of semiconductors and for the surface coating of various tools. In order to coat the surface of a treatment object, such as semiconductors, various molded products, or various tools, with a thin film, one or more process factors selected from among a bias voltage, a gas quantity, an arc power, and a sputtering power are continuously and variably adjusted, whereby the composition ratio of the thin film which is formed on the surface of the treatment object not through a chemical reaction but through a physical method is continuously varied, thus manufacturing a thin film having high hardness. The composition ratio of the thin film to be deposited is selected depending on the end use thereof, thereby depositing the thin film having superior wear resistance, impact resistance, and heat resistance.
(FR)La présente invention concerne un procédé et un appareil pour le dépôt d'une couche mince diffusée, utile dans la fabrication de semi-conducteurs et pour le revêtement de surface de divers outils. Afin de revêtir la surface d'un objet de traitement, tel que des semi-conducteurs, divers produits moulés ou divers outils, avec une couche mince, un ou plusieurs facteurs de procédé sélectionnés parmi une tension de polarisation, une quantité de gaz, une puissance d'arc et une puissance de pulvérisation, sont ajustés en continu et de façon variable, ce par quoi le rapport de composition de la couche mince qui est formée sur la surface de l'objet de traitement, non par une réaction chimique mais par un procédé physique, est amené à varier en continu, fabriquant ainsi une couche mince ayant une dureté élevée. Le rapport de composition de la couche mince devant être déposée est choisi en fonction de l'utilisation finale de celle-ci, déposant ainsi la couche mince ayant une résistance à l'usure, une résistance aux impacts et une résistance à la chaleur supérieures.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: Korean (KO)