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1. (WO2009066739) METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, COMMUNICATION APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR LASER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/066739    International Application No.:    PCT/JP2008/071151
Publication Date: 28.05.2009 International Filing Date: 20.11.2008
Chapter 2 Demand Filed:    09.09.2009    
IPC:
H01S 5/323 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01), H01S 5/028 (2006.01), H01S 5/16 (2006.01)
Applicants: THE FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 2-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008322 (JP) (For All Designated States Except US).
TANIGUCHI, Hidehiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NAMEGAYA, Takeshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KATAYAMA, Etsuji [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TANIGUCHI, Hidehiro; (JP).
NAMEGAYA, Takeshi; (JP).
KATAYAMA, Etsuji; (JP)
Agent: SAKAI, Hiroaki; Sakai International Patent Office, Kasumigaseki Building, 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006020 (JP)
Priority Data:
2007-301591 21.11.2007 JP
Title (EN) METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, COMMUNICATION APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR LASER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, APPAREIL DE COMMUNICATION, ET LASER SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体デバイスの製造方法、半導体デバイス、通信機器、および半導体レーザ
Abstract: front page image
(EN)A method for fabricating a semiconductor device including a semiconductor layer and a dielectric layer deposited thereon. The method comprises a semiconductor layer forming step for forming a semiconductor layer; a surface treatment step for performing surface treatment for removing residual carbon compound on the surface of the semiconductor layer formed in the semiconductor layer forming step; a dielectric film forming step for forming a dielectric film at least partially on the surface of the semiconductor layer subjected to surface treatment in the surface treatment step under deposition conditions dependent on the surface state after surface treatment; and a heat treatment step for heat-treating the semiconductor layer on which the dielectric film is formed in the dielectric film forming step and changing the crystal state in at least a partial region of the semiconductor layer. Consequently, action of the dielectric film can be exhibited sufficiently.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur qui comprend une couche semi-conductrice et une couche diélectrique déposées sur celui-ci. Le procédé comprend une étape de formation de couche semi-conductrice pour former une couche semi-conductrice; une étape de traitement de surface pour effectuer un traitement de surface pour éliminer un composé carboné résiduel sur la surface de la couche semi-conductrice formée à l'étape de formation de couche semi-conductrice; une étape de formation de film diélectrique pour former un film diélectrique au moins partiellement sur la surface de la couche semi-conductrice soumise au traitement de surface à l'étape de traitement de surface dans des conditions de dépôt dépendantes de l'état de la surface après le traitement de surface; et une étape de traitement thermique pour traiter thermiquement la couche semi-conductrice sur laquelle le film diélectrique est formé à l'étape de formation de film diélectrique et changer l'état cristallin dans au moins une région partielle de la couche semi-conductrice. Par conséquent, l'action du film diélectrique peut être présentée suffisamment.
(JA) 半導体層と、その上に堆積される誘電体層を構成に含む半導体デバイスの製造方法であって、半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層形成工程において形成された前記半導体層の表面に対して、残留炭素化合物を除去するための表面処理を施す表面処理工程と、前記表面処理工程において表面処理を施した半導体層の表面の少なくとも一部に、前記表面処理後の表面状態に応じた堆積条件で誘電体膜を形成する誘電体膜形成工程と、前記誘電体膜形成工程において誘電体膜が形成された前記半導体層に熱処理を施すことにより、前記半導体層の少なくとも一部領域の結晶状態を変化させる熱処理工程とを含む。これによって、誘電体膜の作用を十分に発揮させることができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)