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1. (WO2009066711) SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SOLAR BATTERY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/066711    International Application No.:    PCT/JP2008/071071
Publication Date: 28.05.2009 International Filing Date: 20.11.2008
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (For All Designated States Except US).
OHGAKI, Hisashi; (For US Only).
KAMITAKA, Masuo; (For US Only).
TANIGUCHI, Yoshihiro; (For US Only).
YASUTAKE, Kenji; (For US Only).
YAMAWAKI, Chiaki; (For US Only)
Inventors: OHGAKI, Hisashi; .
KAMITAKA, Masuo; .
TANIGUCHI, Yoshihiro; .
YASUTAKE, Kenji; .
YAMAWAKI, Chiaki;
Agent: FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office, Nakanoshima Central Tower, 22nd Floor, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Priority Data:
2007-303277 22.11.2007 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SOLAR BATTERY
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CE DISPOSITIF ET BATTERIE SOLAIRE
(JA) 半導体装置およびその製造方法ならびに太陽電池
Abstract: front page image
(EN)A p electrode (4) and an n electrode (5) are formed on the back surface of a solar battery cell (1), and an electrode main body (6) of the p (n) electrode (4, 5) is exposed from an opening (9) which is formed in an insulating layer (8). In an interconnector (11), an extending portion (18) extending in one direction is provided with a bending portion (16). By irradiating the bending portion (16) with a laser light, the interconnector (11) is joined to the p (n) electrode (4, 5). Consequently, a connection wiring can be surely joined to a device-formed substrate on which a predetermined device is formed in advance.
(FR)Une électrode p (4) et une électrode n (5) sont formées sur la surface arrière d'un élément de batterie solaire (1), et un corps principal d'électrode (6) de l'électrode p (n) (4, 5) est exposé à travers une ouverture (9) qui est formée dans une couche isolante (8). Dans un interconnecteur (11), une partie d'extension (18) s'étendant dans une direction est pourvue d'une partie de flexion (16). Par l'irradiation de la partie de flexion (16) avec une lumière laser, l'interconnecteur (11) est joint à l'électrode p (n) (4, 5). Par conséquent, un câblage de connexion peut être joint de manière sûre à un substrat de dispositif sur lequel un dispositif prédéterminé est formé à l'avance.
(JA) 太陽電池セル(1)の裏面には、p電極(4)とn電極(5)とが設けられ、絶縁層(8)に形成された開口部(9)にp(n)電極(4,5)の電極本体(6)が露出している。インターコネクタ(11)には、一方向に延在する延在部(18)に屈曲部(16)が設けられている。屈曲部(16)にレーザ光線を照射することにより、インターコネクタ(11)がp(n)電極(4,5)に接合される。これにより、所定の素子が形成された素子形成基板に接続配線を、確実に接合することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)