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1. (WO2009066633) EVAPORATION SOURCE FOR ARC ION PLATING DEVICE AND ARC ION PLATING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/066633    International Application No.:    PCT/JP2008/070861
Publication Date: 28.05.2009 International Filing Date: 17.11.2008
IPC:
C23C 14/32 (2006.01)
Applicants: KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO [JP/JP]; 10-26, Wakinohama-cho 2-chome, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6518585 (JP) (For All Designated States Except US).
NAKAKUBO, Shohei; (For US Only).
YAMAMOTO, Kenji; (For US Only).
FUJII, Hirofumi; (For US Only).
KUROKAWA, Yoshinori; (For US Only)
Inventors: NAKAKUBO, Shohei; .
YAMAMOTO, Kenji; .
FUJII, Hirofumi; .
KUROKAWA, Yoshinori;
Agent: KOTANI, Etsuji; Osaka Nakanoshima Building 2nd Floor, 2-2, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Priority Data:
2007-301792 21.11.2007 JP
2008-109148 18.04.2008 JP
Title (EN) EVAPORATION SOURCE FOR ARC ION PLATING DEVICE AND ARC ION PLATING DEVICE
(FR) SOURCE D'ÉVAPORATION POUR UN DISPOSITIF DE PLAQUAGE IONIQUE À L'ARC ET DISPOSITIF DE PLAQUAGE IONIQUE À L'ARC
(JA) アークイオンプレーティング装置用の蒸発源及びアークイオンプレーティング装置
Abstract: front page image
(EN)An evaporation source for an arc ion plating device, in which the utilization efficiency of the cathode is drastically enhanced and which forms on a target object a thin film having high surface smoothness and small residual stress. An evaporation source (1) for an arc ion plating device has magnetic field forming means (5) having a ring-shaped magnet (3) provided around the outer periphery of the cathode (2) and also having a solenoid coil (4) provided to the rear surface of the cathode (2). The magnetic field forming means (5) is adapted such that the direction of the polarity of the ring-shaped magnet (3) is opposite to that of the solenoid coil (4), and the magnetic field forming means (5) forms a magnetic field in which the minimum value of the magnetic flux densities on any line extending from the center toward the peripheral edge of an evaporation surface for evaporating a substance forming the cathode (2) is 45 Gauss or above and the average value of the magnetic flux densities is 80 Gauss or above.
(FR)L'invention porte sur une source d'évaporation pour un dispositif de plaquage ionique à l'arc, dans lequel l'efficacité d'utilisation de la cathode est grandement augmentée et qui forme sur un objet cible une couche mince ayant un lissé de surface élevé et une contrainte résiduelle faible. Une source d'évaporation (1) pour un dispositif de plaquage ionique à l'arc a des moyens de formation de champ magnétique (5) ayant un aimant en forme d'anneau (3) disposé autour de la périphérie externe de la cathode (2) et ayant également une bobine de solénoïde (4) disposée sur la surface arrière de la cathode (2). Les moyens de formation de champ magnétique (5) sont conçus de telle sorte que la direction de la polarité de l'aimant en forme d'anneau (3) est opposée à celle de la bobine de solénoïde (4), et les moyens de formation de champ magnétique (5) forment un champ magnétique dans lequel la valeur minimale des densités de flux magnétiques sur n'importe quelle ligne s'étendant à partir du centre vers le bord périphérique d'une surface d'évaporation pour évaporer une substance formant la cathode (2) est de 45 Gauss ou plus et la valeur moyenne des densités de flux magnétiques est de 80 Gauss ou plus.
(JA) アークイオンプレーティング装置用の蒸発源において、陰極の利用効率を飛躍的に向上させ、かつ表面平滑性が高く、残留応力が小さい薄膜を形成する。  陰極2の外周に配置されたリング状の磁石3と、陰極2の背面に配置されたソレノイドコイル4とを有する磁界形成手段5を備えたアークイオンプレーティング装置用の蒸発源1において、磁界形成手段5は、リング状の磁石3の極性の向きとソレノイドコイル4の極性の向きとが反対となるように構成され、陰極2を構成する物質を蒸発させる蒸発面の中心部から周縁に向かって延びた任意の線分上における磁束密度の最小値が45Gauss(ガウス)以上、その平均値が80Gauss以上である磁界を形成する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)