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1. (WO2009066624) METHOD FOR ETCHING GLASS SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/066624    International Application No.:    PCT/JP2008/070813
Publication Date: 28.05.2009 International Filing Date: 14.11.2008
IPC:
C03C 15/00 (2006.01), G02F 1/13 (2006.01), G02F 1/1333 (2006.01)
Applicants: ASAHI GLASS CO., LTD. [JP/JP]; 12-1, Yurakucho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008405 (JP) (For All Designated States Except US).
SAIJO, Yoshitaka [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUZUKI, Yuichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
AKIYAMA, Ryoji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TAKENAKA, Atsuyoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KASE, Junichiro [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SAIJO, Yoshitaka; (JP).
SUZUKI, Yuichi; (JP).
AKIYAMA, Ryoji; (JP).
TAKENAKA, Atsuyoshi; (JP).
KASE, Junichiro; (JP)
Agent: OGURI, Shohei; Eikoh Patent Firm, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Priority Data:
2007-299066 19.11.2007 JP
Title (EN) METHOD FOR ETCHING GLASS SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE À L'ACIDE D'UN SUBSTRAT DE VERRE
(JA) ガラス基板のエッチング処理方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a method for etching a glass substrate, which aims to reduce the thickness of the glass substrate. This etching method has high etching rate and is capable of suppressing generation of haze in the glass substrate surface. Specifically disclosed is a method for etching a glass substrate surface, wherein the glass substrate surface is etched in an amount of 1-690 &mgr;m. This method for etching a glass substrate surface is characterized in that the etching is performed by using an etchant having an HF concentration of 1-5 wt% and an HCl concentration of not less than 1 wt%.
(FR)L'invention porte sur un procédé de gravure à l'acide d'un substrat de verre, qui vise à réduire l'épaisseur du substrat de verre. Ce procédé de gravure à l'acide présente un facteur de morsure élevé et peut supprimer la génération de voile sur la surface du substrat de verre. De façon précise, l'invention porte sur un procédé de gravure à l'acide d'une surface de substrat de verre, cette dernière étant traitée à l'acide en une quantité de 1 à 690 µm. Ce procédé de gravure à l'acide d'une surface de substrat de verre est caractérisé par le fait que la gravure à l'acide est effectuée à l'aide d'un agent d'attaque chimique ayant une concentration en HF de 1 à 5 % en poids et une concentration en HCl de pas moins de 1 % en poids.
(JA) 本発明は、ガラス基板の薄板化を目的とするエッチング処理方法であって、エッチングレートが高く、かつ、ガラス基板表面でのヘイズの発生を抑制することができるエッチング処理方法を提供する。本発明は、ガラス基板表面をエッチング量で1~690μmエッチング処理するガラス基板表面のエッチング処理方法において、前記エッチング処理がHF濃度1~5wt%、HCl濃度1wt%以上のエッチング液により行われることを特徴とするガラス基板表面のエッチング処理方法に関する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)