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1. (WO2009066566) PROCESS FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL SiC SUBSTRATE AND SINGLE CRYSTAL SiC SUBSTRATE PRODUCED BY THE PROCESS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/066566    International Application No.:    PCT/JP2008/070160
Publication Date: 28.05.2009 International Filing Date: 29.10.2008
IPC:
C30B 29/36 (2006.01), C23C 14/48 (2006.01), C30B 1/10 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Applicants: AIR WATER INC. [JP/JP]; 2, kita 3-jo Nishi 1-chome, Chuo-ku, Sapporo-shi, Hokkaido 0600003 (JP) (For All Designated States Except US).
OSAKA PREFECTURE UNIVERSITY PUBLIC CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Gakuen-cho, Naka-ku, Sakai-shi, Osaka 5998531 (JP) (For All Designated States Except US).
IZUMI, Katsutoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YOKOYAMA, Takashi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: IZUMI, Katsutoshi; (JP).
YOKOYAMA, Takashi; (JP)
Agent: MORIMOTO, Naoyuki; Room 902, Uchihonmachi Viewheights 1-3-10, Uchihonmachi, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 5400026 (JP)
Priority Data:
2007-298752 19.11.2007 JP
Title (EN) PROCESS FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL SiC SUBSTRATE AND SINGLE CRYSTAL SiC SUBSTRATE PRODUCED BY THE PROCESS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE SiC MONOCRISTALLIN ET SUBSTRAT DE SiC MONOCRISTALLIN OBTENU PAR LE PROCÉDÉ
(JA) 単結晶SiC基板の製造方法およびそれによって得られた単結晶SiC基板
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a process for producing a single crystal SiC substrate which can produce a single crystal SiC substrate, which does not cause significant distortion, has a large size, and has good crystallinity, at low cost using a relatively inexpensive polycrystalline SiC substrate as a base material substrate. The production process comprises a P ion implantation step of providing an SOI substrate (1) comprising a Si base material layer (2), and a surface Si layer (3) and an embedded oxide layer (4) each in a predetermined thickness formed on the Si base material layer (2) and implanting P ions from the surface Si layer (3) side into the SOIsubstrate (1) to convert the embedded oxide layer (4) to a PSG layer (6) for softening point lowering, and an SiC forming step of heating the SOI substrate (1) with the PSG layer (6) formed thereon in a hydrocarbon gas atmosphere to convert the surface Si layer (3) to SiC and then cooling the assembly to form a single crystal SiC layer (5) on the surface of the assembly.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un substrat de SiC monocristallin qui permet de produire un substrat de SiC monocristallin qui ne provoque pas de distorsion significative, qui est de grande dimension et qui a une bonne cristallinité, à faible coût à l'aide d'un substrat de SiC polycristallin relativement bon marché comme substrat de matière de base. Le procédé de fabrication comprend une étape d'implantation d'ions P consistant à se procurer un substrat SOI (1) comprenant une couche de matière de base de Si (2) et une couche de surface de Si (3) et une couche d'oxyde noyé (4) chacune dans une épaisseur prédéterminée formée sur la couche de matière de base de Si (2) et d'implantation d'ions P à partir du côté de la couche de Si de surface (3) dans le substrat SOI (1) pour convertir la couche d'oxyde noyé (4) en une couche de PSG (6) pour abaisser le point de ramollissement, et une étape de formation de SiC consistant à chauffer le substrat SOI (1) avec la couche de PSG (6) formée sur celui-ci dans une atmosphère d'hydrocarbure gazeux pour convertir la couche de Si de surface (3) en SiC, puis refroidir l'ensemble pour former une couche de SiC monocristallin (5) sur la surface de l'ensemble.
(JA)比較的安価な多結晶SiC基板を母材基板として歪みが少なく大型で結晶性の良い単結晶SiC基板を安価に製造する。Si母材層2に所定厚さの表面Si層3と埋め込み酸化物層4が形成されたSOI基板1に対し、上記表面Si層3側からPイオンを注入することにより、上記埋め込み酸化物層4をPSG層6に変成させて軟化点を低下させるPイオン注入工程と、上記PSG層6が形成されたSOI基板1を炭化水素系ガス雰囲気中で加熱して上記表面Si層3をSiCに変成させたのち冷却させて表面に単結晶SiC層5を形成するSiC形成工程とを行なう。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)