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1. (WO2009066135) PRECISE OXIDE DISSOLUTION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/066135    International Application No.:    PCT/IB2007/055392
Publication Date: 28.05.2009 International Filing Date: 23.11.2007
IPC:
H01L 21/762 (2006.01)
Applicants: S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines, Chemin des Franques, F-38190 Bernin (FR) (For All Designated States Except US).
KONONCHUK, Oleg [RU/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: KONONCHUK, Oleg; (FR)
Agent: COLLIN, Jérôme; Cabinet Regimbeau, 20, rue de Chazelles, F-75847 Paris Cedex 17 (FR)
Priority Data:
Title (EN) PRECISE OXIDE DISSOLUTION
(FR) DISSOLUTION D'OXYDE PRÉCISE
Abstract: front page image
(EN)Method for dissolving the buried oxide layer of a SeOI wafer in order to decrease the thickness of said buried oxide layer, said SeOI wafer comprising: a thin working layer made from one or more semiconductor material(s); a support layer, and a buried oxide (BOX) layer between the working layer and the support layer, characterized in that the dissolution rate of the buried oxide layer is controlled and set to be below 0.06 Å/sec.
(FR)La présente invention a trait à un procédé permettant de dissoudre la couche d'oxyde enterré d'une tranche de SeOI afin de diminuer l'épaisseur de ladite couche d'oxyde enterré. Ladite tranche de SeOI comprend : une couche de travail mince constituée d'une ou de plusieurs matières semi-conductrices; une couche de support et une couche d'oxyde enterré (BOX) entre la couche de travail et la couche de support. Ledit procédé est caractérisé en ce que la vitesse de dissolution de la couche d'oxyde enterré est contrôlée et définie de manière à être inférieure à 0,06 Å/s.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)