WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2009065444) A METHOD OF PRODUCING POLYCRYSTALLINE AND SINGLE CRYSTAL SILICON
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/065444    International Application No.:    PCT/EP2007/062743
Publication Date: 28.05.2009 International Filing Date: 23.11.2007
IPC:
C01B 33/021 (2006.01), C30B 11/00 (2006.01), C30B 15/00 (2006.01), C30B 29/06 (2006.01)
Applicants: MAR DE ACEDOS, S.L. [ES/ES]; Avda. Pio XII, Ptal 6, Bajo A, E-28016 Madrid (ES) (For All Designated States Except US).
BLACH SERVERA, Pedro [ES/ES]; (ES) (For US Only)
Inventors: BLACH SERVERA, Pedro; (ES)
Agent: CARPINTERO LOPEZ, Francisco; Herrero & Asociados, S.L., Alcala, 35, E-28014 Madrid (ES)
Priority Data:
Title (EN) A METHOD OF PRODUCING POLYCRYSTALLINE AND SINGLE CRYSTAL SILICON
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SILICIUM MONOCRISTALLIN ET POLYCRYSTALLIN
Abstract: front page image
(EN)A method of producing polycrystalline and single crystal silicon from quartz, employing reduction of gaseous silicon monoxide in methane atmosphere aided by electrodeless discharge plasma, comprising a three stage process: a first stage reactor wherein quartz is reduced to silicone monoxide in gaseous form by silicon; a second stage reactor wherein silicone monoxide in gaseous form is reduced by carbon to elemental silicon; and a third stage wherein the produced liquid silicon is subjected, in furnaces, to directed crystallization to obtain polycrystalline and single crystal silicon, while the silicon waste produced after the third stage of processing is returned to the first stage to serve as the reducing agent, wherein the stage twosilicon monoxide reduction is conducted in electrodeless-discharge plasma, in a plasma reactor, by atomic carbon obtained through pyrolysis of methane taking place simultaneously in the same volume of the plasma reactor, with the process chain providing for recycling of methane.
(FR)Cette invention concerne un procédé de production de silicium monocristallin et polycrystallin à partir de quartz, en utilisant la réduction du monoxyde de silicium gazeux dans une atmosphère de méthane favorisée par le plasma de décharge sans électrode, ledit procédé comprenant un processus en trois étapes : une première étape où, dans un réacteur, du quartz est réduit en monoxyde de silicium sous forme gazeuse par du silicium; une seconde étape où, dans un réacteur, le monoxyde de silicium sous forme gazeuse est réduit en silicium élémentaire par du carbone; et une troisième étape où le silicium liquide produit est soumis, dans des fours, à une cristallisation directe pour obtenir du silicium monocristallin et polycrystallin, les déchets de silicium produits après la troisième étape du traitement étant renvoyés vers la première étape pour servir d'agent de réduction. L'étape de réduction du monoxyde de silicium est conduite dans un plasma de décharge sans électrode, dans un réacteur plasma, par du carbone atomique obtenu par pyrolyse du méthane qui survient en même temps dans le même volume du réacteur plasma, la chaîne du processus permettant le recyclage du méthane.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)