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1. (WO2009065303) PLASMA CONFINEMENT DEVICE AND SEMICONDUCTOR PROCESSING APPARATUS USING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/065303    International Application No.:    PCT/CN2008/070273
Publication Date: 28.05.2009 International Filing Date: 04.02.2008
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01), H01J 37/32 (2006.01)
Applicants: BEIJING NMC CO., LTD. [CN/CN]; No.1 East Jiuxianqiao Road, Chaoyang District Beijing 100016 (CN) (For All Designated States Except US).
NAN, Jianhui [CN/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: NAN, Jianhui; (CN)
Agent: TEE & HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; ZHANG, Tianshu Room 718, Beijing Capital Times Square, 88 Xichang'an Avenue, Xicheng District Beijing 100031 (CN)
Priority Data:
200710177831.6 21.11.2007 CN
Title (EN) PLASMA CONFINEMENT DEVICE AND SEMICONDUCTOR PROCESSING APPARATUS USING THE SAME
(FR) DISPOSITIF DE CONFINEMENT DE PLASMA ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEUR L'UTILISANT
(ZH) 等离子体约束装置及应用该约束装置的半导体处理设备
Abstract: front page image
(EN)A plasma confinement device (17) is provided, which is used for preventing the plasma from diffusing outwards. The confinement device (17) comprises a cylindrical confinement shield (L1, L2, L3) which is at least one-layer, each layer of the confinement shield (L1, L2, L3) has apertures that form confinement channels. A semiconductor processing apparatus using the plasma confinement device (17) is also provided, which comprises a reaction chamber (11), an upper electrode (12), a lower electrode (13), and the plasma confinement device (17). The plasma confinement device (17) lies in the reaction chamber (11), and surrounds the reaction regionbetween the upper electrode (12) and the lower electrode (13), so as to prevent the plasma from diffusing to the outside of the confinement device (17).
(FR)L'invention propose un dispositif de confinement de plasma (17) qui est utilisé pour empêcher le plasma de se diffuser vers l'extérieur. Le dispositif de confinement (17) comporte un écran de confinement cylindrique (L1, L2, L3) d'au moins une couche, chaque couche de l'écran de confinement (L1, L2, L3) ayant des ouvertures qui forment des canaux de confinement. L'invention propose également un appareil de traitement de semi-conducteur utilisant le dispositif de confinement de plasma (17), lequel appareil comporte une chambre de réaction (11), une électrode supérieure (12), une électrode inférieure (13) et le dispositif de confinement de plasma (17). Le dispositif de confinement de plasma (17) est disposé dans la chambre de réaction (11), et entoure la région de réaction entre l'électrode supérieure (12) et l'électrode inférieure (13), de façon à empêcher le plasma de se diffuser vers l'extérieur du dispositif de confinement (17).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)