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1. (WO2009065270) FINGER-CLIP OXIMETER REPRESENTING MEASURED VALUE BY AUDIO TONE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/065270    International Application No.:    PCT/CN2007/071103
Publication Date: 28.05.2009 International Filing Date: 21.11.2007
IPC:
A61B 5/145 (2006.01)
Applicants: BEIJING CHOICE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; Room 1126-1128, Building B, BAILANGYUAN Fuxing Road No.A36, Haidian District Beijing 100039 (CN) (For All Designated States Except US).
XU, Feng [CN/CN]; (CN) (For US Only).
SU, Houcheng [CN/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: XU, Feng; (CN).
SU, Houcheng; (CN)
Agent: ANSEN PATENT LAW OFFICE; Suit A712, Golden Towers No.2 Qinghua Donglu, Haidian District Beijing 100083 (CN)
Priority Data:
Title (EN) FINGER-CLIP OXIMETER REPRESENTING MEASURED VALUE BY AUDIO TONE
(FR) OXYMÈTRE PINCE DOIGT REPRÉSENTANT UNE VALEUR MESURÉE PAR UNE TONALITÉ AUDIO
(ZH) 一种可通过发音音调表示测量值的指夹血氧仪
Abstract: front page image
(EN)A finger-clip oximeter which can represent the measured value by audio tone, has an audio-processor. The finger-clip oximeter has an AC buzzer. The audio control circuit of the buzzer includes: a MOS field effect transistor (TR6), with a coupling capacitor (C28) connected in series between its gate (1) and an output port (P0.5) of a central processing unit (CPU); a current limiting resistor (R42) and a pull-up resistor (R44), arranged between the gate (1) and the source (2) of the MOS field effect transistor (TR6); a Schottky diode (D4), connected parallel with the pull-up resistor (R44); a capacitor (C5), connected to the source (2) of the MOS field effect transistor (TR6); and a buzzer (B1), connected to the drain (3) of the MOS field effect transistor (TR6).
(FR)L'invention porte sur un oxymètre pince doigt qui comporte un processeur audio et qui peut représenter la valeur mesurée par une tonalité audio. L'oxymètre pince doigt possède un vibreur à courant alternatif. Le circuit de commande audio du vibreur comprend : un transistor à effet de champ MOS (TR6), un condensateur de couplage (C28) étant connecté en série entre sa grille (1) et une sortie (P0.5) d'une unité centrale (CPU) ; une résistance de limitation de courant (R42) et une résistance de rappel vers le niveau haut (R44), agencées entre la grille (1) et la source (2) du transistor à effet de champ MOS (TR6) ; une diode à effet Schottky (D4), connectée en parallèle avec la résistance de rappel vers le niveau haut (R44) ; un condensateur (C5) connecté à la source (2) du transistor à effet de champ MOS (TR6) ; et un vibreur (B1) connecté au drain (3) du transistor à effet de champ MOS (TR6).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)