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1. (WO2009065215) A LIGHT EMITTING DEVICE WITH A STOPPER LAYER STRUCTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/065215    International Application No.:    PCT/CA2008/002034
Publication Date: 28.05.2009 International Filing Date: 20.11.2008
IPC:
H05B 33/02 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H05B 33/06 (2006.01)
Applicants: GROUP IV SEMICONDUCTOR INC. [CA/CA]; 400 March Road, Kanata, Ontario K2K 3H4 (CA) (For All Designated States Except US).
MACELWEE, Thomas [CA/CA]; (CA) (For US Only).
NOEL, Jean-Paul [CA/CA]; (CA) (For US Only).
DUCHARME, Dean [CA/CA]; (CA) (For US Only).
XIN, Yongbao [CA/CA]; (CA) (For US Only)
Inventors: MACELWEE, Thomas; (CA).
NOEL, Jean-Paul; (CA).
DUCHARME, Dean; (CA).
XIN, Yongbao; (CA)
Agent: MACLEAN, Douglas; Teitelbaum & MacLean, 280 Sunnyside Avenue, Ottawa, Ontario K1S 0R8 (CA)
Priority Data:
60/989,227 20.11.2007 US
61/084,686 30.07.2008 US
Title (EN) A LIGHT EMITTING DEVICE WITH A STOPPER LAYER STRUCTURE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT PRÉSENTANT UNE STRUCTURE DE COUCHE D'ARRÊT
Abstract: front page image
(EN)Electroluminescent (EL) devices structures are provided comprising a hot electron stopper layer structure to capture hot electrons and dissipate their energy, thereby reducing damage to the transparent conducting oxide (TCO) layer and reducing other hot electron effects, such as charging effects, which impact reliability of EL device structures. The stopper layer structure may comprise a single layer or multiple layers provided between the TCO electrode layer and the emitter structure, and may also function to reduce diffusion or chemical interactions between the TCO and the emitter layer structure. Optionally, stopper layers may also be provided within the emitter structure. Suitable stopper layer materials are wideband gap semiconductors or dielectrics, preferably transparent at wavelengths emitted by the EL device characterized by high impact ionization rates, and/or high relative permittivity relative to adjacent layers of the emitter structure.
(FR)La présente invention a pour objet des structures de dispositifs électroluminescents (EL) comprenant une structure de couche d'arrêt à électrons chauds pour capturer les électrons chauds et dissiper leur énergie, réduisant ainsi les dommages causés à la couche d'oxyde conducteur transparent (TCO) et réduisant les autres effets des électrons chauds, comme les effets de charge, qui ont un impact sur la fiabilité des structures de dispositifs EL. La structure de couche d'arrêt peut comprendre une couche unique ou des couches multiples disposée(s) entre la couche d'électrode TCO et la structure émettrice, et peut également servir à réduire la diffusion ou les interactions chimiques entre le TCO et la structure de couche émettrice. Facultativement, les couches d'arrêt peuvent aussi être disposées à l'intérieur de la structure émettrice. Les matériaux pouvant convenir pour une couche d'arrêt sont les semi-conducteurs à largeur de bande interdite étendue ou des diélectriques, laissant passer de préférence les longueurs d'onde émises par le dispositif EL, caractérisés par des taux d'ionisation par impact élevés et/ou une permissivité relative élevée par rapport aux couches adjacentes de la structure émettrice.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)