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1. (WO2009065016) RPSC AND RF FEEDTHROUGH
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/065016    International Application No.:    PCT/US2008/083598
Publication Date: 22.05.2009 International Filing Date: 14.11.2008
IPC:
H01J 7/24 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, CA 95054 (US) (For All Designated States Except US).
WHITE, John M. [US/US]; (US) (For US Only).
STIMSON, Bradley O. [US/US]; (US) (For US Only).
KUDELA, Jozef [SK/US]; (US) (For US Only)
Inventors: WHITE, John M.; (US).
STIMSON, Bradley O.; (US).
KUDELA, Jozef; (US)
Agent: PATTERSON, B. Todd; Patterson & Sheridan, L.L.P., 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500, Houston, Texas 77056-6582 (US)
Priority Data:
60/988,694 16.11.2007 US
Title (EN) RPSC AND RF FEEDTHROUGH
(FR) TRAVERSÉE RPSC ET RF
Abstract: front page image
(EN)The present invention generally comprises an apparatus having an RF choke and a remote plasma source combined into a single unit. Process gases may be introduced to the chamber via the showerhead assembly which may be driven as an RF electrode. The gas feed tube may provide process gases and the cleaning gases to the process chamber. The inside of the gas feed tube may remain at a zero RF field to avoid premature gas breakdown within the gas feed tube that may lead to parasitic plasma formation between the gas source and the showerhead during processing. Igniting the cleaning gas plasma within the gas feed tube permits the plasma to be ignited closer to the processing chamber. Thus, RF current travels along the outside of the apparatus during deposition and microwave current ignites a plasma within the apparatus before feeding the plasma to the processing chamber.
(FR)La présente invention concerne généralement un dispositif comportant un piège RF et une source de plasma à distance combinés en une unité unique. Des gaz de traitement peuvent être introduits dans la chambre par l'intermédiaire de l'assemblage de pomme d'arrosoir qui peut être commandé comme une électrode RF. Le tube d'alimentation en gaz peut fournir des gaz de traitement et les gaz de nettoyage à la chambre de traitement. L'intérieur du tube d'alimentation en gaz peut rester à un champ RF nul pour éviter une coupure de gaz prématurée dans le tube d'alimentation en gaz qui peut mener à une formation de plasma parasite entre la source de gaz et la pomme d'arrosoir pendant le traitement. L'allumage du plasma gazeux de nettoyage dans le tube d'alimentation en gaz permet l'allumage du plasma plus près de la chambre de traitement. Ainsi, le courant RF circule le long de l'extérieur du dispositif pendant le dépôt et le courant hyperfréquence allume un plasma dans le dispositif avant la fourniture du plasma à la chambre de traitement.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)