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1. (WO2009064336) COMPOSITIONS FOR REMOVAL OF METAL HARD MASK ETCHING RESIDUES FROM A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/064336    International Application No.:    PCT/US2008/011268
Publication Date: 22.05.2009 International Filing Date: 29.09.2008
Chapter 2 Demand Filed:    03.09.2009    
IPC:
B44C 1/22 (2006.01)
Applicants: EKC TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 2520 Barrington Court, Hayward, CA 94545-1163 (US) (For All Designated States Except US).
CUI, Hua [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: CUI, Hua; (US)
Agent: SULLIVAN, Mark, J.; Morgan Lewis & Bockius LLP, 1111 Pennsylvania, NW, Washington, DC 20004 (US).
KRUKIEL, Charles E.; Dunlap Codding, P.C. P.O. Box 16370 Oklahoma City Oklahoma 73113 (US)
Priority Data:
60/996,429 16.11.2007 US
Title (EN) COMPOSITIONS FOR REMOVAL OF METAL HARD MASK ETCHING RESIDUES FROM A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) COMPOSITIONS POUR ÉLIMINER DES RÉSIDUS DE GRAVURE DE MASQUE MÉTALLIQUE DUR D'UN SUBSTRAT À SEMI-CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)Compositions for removing and cleaning resist, etching residues, planarization residues, metal fluorides and/or metal oxides from a substrate are provided, the composition including a metal ion-free fluoride compound and water. The resist, etching residues, planarization residues, metal fluorides and/or metal oxides are generated during one or more patterning processes during which a metal hard mask is used.
(FR)L'invention concerne des compositions pour éliminer et nettoyer de la résine, des résidus de gravure, des résidus de planarisation, des fluorures métalliques et/ou des oxydes métalliques présents sur un substrat. La composition de l'invention comprend un composé fluorure exempt d'ions métalliques et de l'eau. La résine, les résidus de gravure, les résidus de planarisation, les fluorures métalliques et/ou les oxydes métalliques sont générés pendant un ou plusieurs procédés de modelage au cours desquels un masque métallique dur est utilisé.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)