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1. (WO2009064183) METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING CO DIFFUSION OF BORON AND PHOSPHORUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/064183    International Application No.:    PCT/NL2008/050724
Publication Date: 22.05.2009 International Filing Date: 13.11.2008
Chapter 2 Demand Filed:    14.09.2009    
IPC:
H01L 31/18 (2006.01)
Applicants: STICHTING ENERGIEONDERZOEK CENTRUM NEDERLAND [NL/NL]; Westerduinweg 3 NL-1755 LE Petten (NL) (For All Designated States Except US).
MIHAILETCHI, Valentin Dan [RO/NL]; (NL) (For US Only).
KOMATSU, Yuji [JP/NL]; (NL) (For US Only)
Inventors: MIHAILETCHI, Valentin Dan; (NL).
KOMATSU, Yuji; (NL)
Agent: VAN WESTENBRUGGE, Andries; Nederlandsch Octrooibureau Postbus 29720 NL-2502 LS Den Haag (NL)
Priority Data:
2000999 13.11.2007 NL
Title (EN) METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING CO DIFFUSION OF BORON AND PHOSPHORUS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULES SOLAIRES EN SILICIUM CRISTALLIN UTILISANT LA CODIFFUSION DU BORE ET DU PHOSPHORE
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides a method of manufacturing a crystalline silicon solar cell, subsequently comprising: - providing a crystalline silicon substrate having a first side and a second side opposite the first side; - pre-diffusing Phosphorus into a first side of the substrate to render a Phosphorus diffused layer having an initial depth; - blocking the first side of the substrate; - exposing a second side of the substrate to a Boron diffusion source; - heating the substrate for a certain period of time and to a certain temperature so as to diffuse Boron into the second side of the substrate and to simultaneously diffuse the Phosphorus further into the substrate.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une cellule solaire en silicium cristallin, comprenant ensuite : - la fourniture d'un substrat de silicium cristallin comprenant un premier côté et un second côté opposé au premier côté ; - la prédiffusion de phosphore dans un premier côté du substrat pour donner une surface de diffusion de phosphore ayant une profondeur initiale ; - le blocage du premier côté du substrat ; - l'exposition d'un second côté du substrat à une source de diffusion de bore ; - le chauffage du substrat pendant une certaine durée et à une certaine température de façon à diffuser le bore dans le second côté du substrat et à diffuser simultanément le phosphore plus loin dans le substrat.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)