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1. (WO2009064098) METHOD AND CIRCUIT FOR CONTROLLING RADIANT HEAT OF TRANSISTOR USING METAL-INSULATOR TRANSITION DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/064098    International Application No.:    PCT/KR2008/006630
Publication Date: 22.05.2009 International Filing Date: 11.11.2008
IPC:
G05F 3/24 (2006.01)
Applicants: ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE [KR/KR]; 161, Gajeong-dong, Yusong-gu, Daejeon-city 305-350 (KR) (For All Designated States Except US).
KIM, Hyun-Tak [KR/KR]; (KR) (For US Only).
LEE, Yong-Wook [KR/KR]; (KR) (For US Only).
KIM, Bong-Jun [KR/KR]; (KR) (For US Only).
YUN, Sun-Jin [KR/KR]; (KR) (For US Only)
Inventors: KIM, Hyun-Tak; (KR).
LEE, Yong-Wook; (KR).
KIM, Bong-Jun; (KR).
YUN, Sun-Jin; (KR)
Agent: Y.P.LEE, MOCK & PARTNERS; 1575-1, Seocho-dong, Seocho-gu, Seoul 137-875 (KR)
Priority Data:
10-2007-0114962 12.11.2007 KR
10-2008-0042489 07.05.2008 KR
10-2008-0052257 03.06.2008 KR
Title (EN) METHOD AND CIRCUIT FOR CONTROLLING RADIANT HEAT OF TRANSISTOR USING METAL-INSULATOR TRANSITION DEVICE
(FR) PROCÉDÉ ET CIRCUIT POUR COMMANDER LA CHALEUR RAYONNANTE D'UN TRANSISTOR AU MOYEN D'UN DISPOSITIF DE TRANSITION MÉTAL-ISOLANT
Abstract: front page image
(EN)Provided are a method and circuit for controlling heat generation of a power transistor, in which the power transistor can be protected by preventing heat generation of the power transistor by using a metal-insulator transition (MIT) device that can function as a fuse and can be semi-permanently used. The circuit for controlling heat generation of a transistor includes a metal-insulator transition (MIT) device in which abrupt MIT occurs at a predetermined critical temperature; and a power transistor connected to a driving device and controlling power-supply to the driving device, wherein the MIT device is attached to a surface or heating portion of the transistor and is connected to a base terminal or gate terminal of the transistor or a surrounding circuit from a circuit point of view, and wherein when a temperature of the transistor increases to a temperature equal to or greater than the predetermined critical temperature, the MIT device reduces or shuts off a current of the transistor so as to prevent heat generation of the transistor.
(FR)Cette invention concerne un procédé et un circuit permettant de commander la production de chaleur d'un transistor électrique, lequel transistor électrique peut être protégé en empêchant la génération de chaleur par ledit transistor au moyen d'un dispositif de transition métal-isolant (MIT) qui sert de fusible et qui peut être utilisé en quasi-permanence. Le circuit pour commander la génération de chaleur d'un transistor comprend un dispositif de transition métal-isolant (MIT) dans lequel intervient une transition abrupte métal-isolant à une température critique prédéterminée, et un transistor électrique connecté à un dispositif d'entraînement et commandant l'alimentation électrique du dispositif d'entraînement. Le dispositif MIT est relié à une surface ou à une portion chauffante du transistor et il est connecté à une borne de base ou à une borne de gâchette du transistor ou à un circuit environnant du point de vue circuit. Lorsqu'une température du transistor augmente à une température égale ou supérieure à la température critique prédéterminée, le dispositif MIT réduit ou coupe un courant du transistor afin d'empêcher toute génération de chaleur par le transistor.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)