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1. (WO2009063844) SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/063844    International Application No.:    PCT/JP2008/070458
Publication Date: 22.05.2009 International Filing Date: 11.11.2008
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 29/161 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/47 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01), H01L 29/94 (2006.01)
Applicants: HOYA CORPORATION [JP/JP]; 7-5, Naka-Ochiai 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1618525 (JP) (For All Designated States Except US).
NAGASAWA, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HATTA, Naoki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KAWAHARA, Takamitsu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KOBAYASHI, Hikaru [JP/JP]; (JP)
Inventors: NAGASAWA, Hiroyuki; (JP).
HATTA, Naoki; (JP).
KAWAHARA, Takamitsu; (JP).
KOBAYASHI, Hikaru; (JP)
Agent: SIKs & Co.; 8th Floor, Kyobashi-Nisshoku Bldg., 8-7, Kyobashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040031 (JP)
Priority Data:
2007-293258 12.11.2007 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体素子ならびに半導体素子製造法
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device comprises a semiconductor substrate made of silicon carbide, a gate insulating film formed on the semiconductor substrate, and a gate electrode formed on the gate insulating film. The junction surface of the semiconductor substrate joined with the gate insulating film is macroscopically parallel to a nonpolar face and microscopically composed of the nonpolar face and a polar face. In the polar face, either an Si face or a C-face is dominant. Another semiconductor device comprises a semiconductor substrate made of silicon carbide and an electrode formed on the semiconductor substrate. The junction surface of the semiconductor substrate joined with the electrode is macroscopically parallel to a nonpolar face and microscopically composed of the nonpolar face and a polar face. In the polar face, either an Si face or a C-face is dominant. The present invention is a semiconductor device having a silicon carbide substrate, and the electrical characteristics and the stability of the interface between the electrode and the silicon carbide or between the oxide film (insulating film) and the silicon carbide in the nonpolar face of a silicon carbide epitaxial layer can be improved.
(FR)Un dispositif à semi-conducteur comprend un substrat semi-conducteur constitué de carbure de silicium, un film d'isolation de grille formé sur le substrat semi-conducteur, et une électrode de grille formée sur le film d'isolation de grille. La surface de jonction du substrat semi-conducteur joint au film d'isolation de grille est macroscopiquement parallèle à une face non polaire et microscopiquement composée de la face non polaire et d'une face polaire. Dans la face polaire, une face Si ou une face C est dominante. Un autre dispositif à semi-conducteur comprend un substrat semi-conducteur constitué de carbure de silicium et une électrode formée sur le substrat semi-conducteur. La surface de jonction du substrat semi-conducteur joint à l'électrode est macroscopiquement parallèle à une face non polaire et microscopiquement composée de la face non polaire et d'une face polaire. Dans la face polaire, une face Si ou une face C est dominante. La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur ayant un substrat de carbure de silicium, et les caractéristiques électriques et la stabilité de l'interface entre l'électrode et le carbure de silicium ou entre le film d'oxyde (film isolant) et le carbure de silicium dans la face non polaire d'une couche épitaxiale de carbure de silicium peuvent être améliorées.
(JA)本発明は、炭化珪素からなる半導体基板と、前記半導体基板上に形成されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極とを有する半導体素子である。前記半導体基板表面の前記ゲート絶縁膜との接合面は、巨視的には非極性面に平行であり、かつ微視的には非極性面と極性面からなり、前記極性面ではSi面またはC面のいずれか一方の面が優勢である。炭化珪素からなる半導体基板と、前記半導体基板上に形成される電極とを有する半導体素子。前記半導体基板表面の前記電極との接合面は、巨視的には非極性面に平行であり、かつ微視的には非極性面と極性面からなり、前記極性面ではSi面またはC面のいずれか一方の面が優勢である。本発明は、炭化珪素を基板とする半導体素子であって、基板の欠陥密度に関わらず、炭化珪素エピタキシャル層の非極性面上において、電極/炭化珪素界面、あるいは酸化膜(絶縁膜)/炭化珪素界面の電気的特性と安定性を向上させることができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)