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1. (WO2009062123) PITCH REDUCTION USING OXIDE SPACER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/062123    International Application No.:    PCT/US2008/082915
Publication Date: 14.05.2009 International Filing Date: 07.11.2008
IPC:
H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, M/S CA-1, Fremont, California 94538 (US) (For All Designated States Except US).
KIM, Jisoo [KR/US]; (US) (For US Only).
CHIANG, Conan [US/US]; (US) (For US Only).
SHINAGAWA, Jun [JP/US]; (US) (For US Only).
SADJADI, S., M., Reza [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: KIM, Jisoo; (US).
CHIANG, Conan; (US).
SHINAGAWA, Jun; (US).
SADJADI, S., M., Reza; (US)
Agent: LEE, Michael, B., K.; BEYER LAW GROUP LLP, P.O. Box 1687, Cupertino, California 95015-1687 (US)
Priority Data:
60/986,467 08.11.2007 US
Title (EN) PITCH REDUCTION USING OXIDE SPACER
(FR) RÉDUCTION DE PAS À L'AIDE D'UN ESPACEUR D'OXYDE
Abstract: front page image
(EN)A method for etching an etch layer disposed over a substrate and below an antireflective coating (ARC) layer and a patterned organic mask with mask features is provided. The substrate is placed in a process chamber. The ARC layer is opened. An oxide spacer deposition layer is formed. The oxide spacer deposition layer on the organic mask is partially removed, where at least the top portion of the oxide spacer deposition layer is removed. The organic mask and the ARC layer are removed by etching. The etch layer is etched through the sidewalls of the oxide spacer deposition layer. The substrate is removed from the process chamber.
(FR)L'invention concerne un procédé de gravure d'une couche de gravure disposée sur un substrat et sous une couche de revêtement antiréfléchissant (ARC) et un masque organique formé en motif avec des particularités de masque. Le substrat est placé dans une chambre de traitement. La couche ARC est ouverte. Une couche de dépôt d'espaceur d'oxyde est formée. La couche de dépôt d'espaceur d'oxyde sur le masque organique est partiellement éliminée, où au moins la partie supérieure de la couche de dépôt d'espaceur d'oxyde est éliminée. Le masque organique et la couche ARC sont éliminés par gravure. La couche de gravure est gravée dans les parois latérales de la couche de dépôt d'espaceur d'oxyde. Le substrat est éliminé de la chambre de traitement.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)