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1. (WO2009062117) LOW-COST SOLAR CELLS AND METHODS FOR THEIR PRODUCTION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/062117    International Application No.:    PCT/US2008/082908
Publication Date: 14.05.2009 International Filing Date: 07.11.2008
IPC:
H01L 31/18 (2006.01), H01L 31/0256 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: SUNPREME, INC. [US/US] (For All Designated States Except US).
ASHOK, Sinha [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: ASHOK, Sinha; (US)
Agent: BACH, Joseph; 17460 Lakeview Drive, Morgan Hill, CA 95037 (US)
Priority Data:
60/986,996 09.11.2007 US
Title (EN) LOW-COST SOLAR CELLS AND METHODS FOR THEIR PRODUCTION
(FR) PILES SOLAIRES À FAIBLE COÛT ET PROCÉDÉS POUR LA FABRICATION DE CES PILES
Abstract: front page image
(EN)Methods for fabricating solar cells without the need to perform gasification of metallurgical-grade silicon are disclosed. Consequently, the costs and health and environmental hazards involved in fabricating the solar or silicon grade silicon are being avoided. A solar cell structure comprises a metallurgical grade doped silicon substrate and a thin-film structure formed over the substrate to form a p-i-n junction with the substrate. The substrate may be doped p-type, and the thin film structure may be an intrinsic amorphous layer formed over the substrate and an n-type amorphous layer formed over the intrinsic layer.
(FR)L'invention concerne des procédés permettant de fabriquer des piles solaires sans qu'il soit besoin de gazéifier du silicium de qualité métallurgique. Par conséquent, les coûts et les risques pour la santé et pour l'environnement liés à la fabrication du silicium de qualité solaire ou de qualité métallurgique sont évités. Une structure de pile solaire comprend un substrat en silicium dopé de qualité métallurgique et une structure à couches minces formée sur le substrat pour former une jonction p-i-n avec le substrat. Le substrat peut être dopé de type p, et la structure à couches minces peut être une couche amorphe intrinsèque formée sur le substrat et une couche amorphe de type n formée sur la couche intrinsèque.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)