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1. (WO2009061327) METHOD AND SYSTEM FOR PROVIDING A CONTACT TO A MAGNETIC ELEMENT IN A MEMORY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/061327    International Application No.:    PCT/US2007/084361
Publication Date: 14.05.2009 International Filing Date: 09.11.2007
IPC:
H01L 29/00 (2006.01)
Applicants: GRANDIS, INC. [US/US]; 1123 Cadillac, Inc., Milpitas, CA 95035 (US) (For All Designated States Except US).
WANG, Lien-Chang [US/US]; (US) (For US Only).
HUAI, Yiming [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: WANG, Lien-Chang; (US).
HUAI, Yiming; (US)
Agent: MITCHELL, Janyce, R.; Strategic Patent Group, P.C., P.O. Box 1329, Mountain View, CA 94042 (US)
Priority Data:
Title (EN) METHOD AND SYSTEM FOR PROVIDING A CONTACT TO A MAGNETIC ELEMENT IN A MEMORY
(FR) PROCÉDÉ ET SYSTÈME POUR RÉALISER UN CONTACT AVEC UN ÉLÉMENT MAGNÉTIQUE DANS UNE MÉMOIRE
Abstract: front page image
(EN)A method and system for fabricating a magnetic storage element are disclosed. The method and system include providing a magnetic storage stack including the magnetic storage element. In one aspect, the method and system include providing an etch stop layer covering the magnetic storage stack and providing an insulator on the etch stop layer. The magnetic storage stack includes a magnetic storage element and hard mask(s) that may be less than one hundred nanometers thick. The method and system also include removing a portion of the insulator above the magnetic storage stack, exposing a portion of the etch stop layer. The insulator is removed at a higher rate than the etch stop layer. The method and system also include removing the exposed portion of the etch stop layer, exposing a portion of the magnetic storage stack, and providing a conductor contacting the exposed portion of the magnetic storage stack.
(FR)L'invention concerne un procédé et un système pour fabriquer un élément de stockage magnétique. Le procédé et le système comprennent la fourniture d'une pile de stockage magnétique comprenant l'élément de stockage magnétique. Selon un aspect, le procédé et le système comprennent la fourniture d'une couche d'arrêt de gravure recouvrant la pile de stockage magnétique et la fourniture d'un isolant sur la couche d'arrêt de gravure. La pile de stockage magnétique comprend un élément de stockage magnétique et un ou des masques durs qui peuvent avoir une épaisseur inférieure à 100 nanomètres. Le procédé et le système comprennent également le retrait d'une partie de l'isolant au-dessus de la pile de stockage magnétique et l'exposition d'une partie de la couche d'arrêt de gravure. L'isolant est retiré à une plus grande vitesse que la couche d'arrêt de gravure. Le procédé et le système comprennent également le retrait de la partie exposée de la couche d'arrêt de gravure, l'exposition d'une partie de la pile de stockage magnétique, et la fourniture d'un conducteur en contact avec la partie exposée de la pile de stockage magnétique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)