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1. (WO2009061190) CHALCOGENIDE-BASED SOLAR CELL AND METHOD OF MANUFACTURING SUCH A CELL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/061190    International Application No.:    PCT/NL2008/050702
Publication Date: 14.05.2009 International Filing Date: 06.11.2008
IPC:
H01L 31/032 (2006.01)
Applicants: ADVANCED SURFACE TECHNOLOGY B.V. [NL/NL]; Foeke Sjoerdswei 3 8912 AR Leeuwarden (NL) (For All Designated States Except US).
NANU, Marian [NL/NL]; (NL) (For US Only).
MEESTER, Bernard [NL/NL]; (NL) (For US Only)
Inventors: NANU, Marian; (NL).
MEESTER, Bernard; (NL)
Agent: HATZMANN, M.J.; Vereenigde Johan de Wittlaan 7 NL-2517 JR Den Haag (NL)
Priority Data:
07120094.3 06.11.2007 EP
Title (EN) CHALCOGENIDE-BASED SOLAR CELL AND METHOD OF MANUFACTURING SUCH A CELL
(FR) CELLULE SOLAIRE À BASE DE CHALCOGÉNURE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE LADITE CELLULE
Abstract: front page image
(EN)A thin-film solar cell comprising homojunctions between quaternary chalcogenide compounds is proposed. By using a chalcogenide layer of for example a Cu2AX(d)BY(d)Z4 compound, or more generally a CucAX(d)BY(d)Zs compound, with amounts of A and B that vary with depth, d, in the chalcogenide layer, sufficient freedom is obtained to realize a transition from n-type to p-type conductivity in the chalcogenide layer without changing the lattice structure and with minimum change of lattice constant. This allows to obtain solar cells with good energy conversion efficiencies.
(FR)L'invention concerne une cellule solaire à couche mince qui comprend des homojonctions entre des composés chalcogénure quaternaires. Au moyen d'une couche de chalcogénure constituée par exemple d'un composé Cu2Aχ(d)Bγ(d)Z4, ou plus généralement d'un composé CucAχ(d)(d)Zs, dont les quantités de A et B peuvent varier avec la profondeur, d, dans la couche chalcogénure, une liberté suffisante est obtenue pour réaliser une transition d'une conductivité de type n à une conductivité de type p dans la couche chalcogénure sans changer la structure de réseau et avec un changement minimum de la constante de réseau. Des cellules solaires présentant de bonnes efficacités de conversion d'énergie peuvent ainsi être obtenues. Deux modes de réalisation de cellule solaire sont décrits. Dans le premier mode de réalisation, une configuration p-i-n est réalisée par dépôt d'une couche de chalcogénure quaternaire Cu2(d)(d)Z4 dans laquelle la quantité relative des éléments A et B varie avec la profondeur afin d'obtenir un changement d'une conductivité de type p à une conductivité de type n; une partie de la couche présentant une conductivité intrinsèque. La couche de contact de type n (NC), la couche photovoltaïque (PV) et la couche de contact de type p (PC) présentent des réseaux cristallins respectifs qui, de manière mutuelle, sont sensiblement cohérents afin que soient formées des homojonctions. Dans le deuxième mode de réalisation, une configuration p-n est réalisée par dépôt d'une couche de chalcogénure quaternaire Cu2(d)(d)Z4 dans laquelle la quantité relative des éléments A et B varie avec la profondeur afin d'obtenir un changement d'une conductivité de type p à une conductivité de type n. La couche de type p (PC) et la couche de type n (NC) présentent des réseaux cristallins respectifs qui, de manière mutuelle, sont sensiblement cohérents afin que soient formée une homojonction p-n. Dans un autre aspect, l'invention propose un procédé de fabrication d'une cellule solaire telle que définie dans les revendications 1-8. De manière avantageuse, un seul procédé de dépôt peut être utilisé pour former la couche de chalcogénure qui comprend des parties présentant différents types de conductivité. Ainsi, un procédé de fabrication efficace peut être mis en oeuvre pour former une cellule solaire avec un seul outil de dépôt
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)