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Pub. No.:    WO/2009/061168    International Application No.:    PCT/MY2008/000128
Publication Date: 14.05.2009 International Filing Date: 06.11.2008
Chapter 2 Demand Filed:    02.06.2009    
B81C 1/00 (2006.01), B81B 7/00 (2006.01), F04B 43/04 (2006.01)
Applicants: MIMOS BERHAD [MY/MY]; Technology Park of Malaysia Bukit Jalil 57000 Kuala Lumpur (MY) (For All Designated States Except US).
BUYONG, Muhamad Ramdzan [MY/MY]; (MY) (For US Only).
ZAIN, Azlina Mohd [MY/MY]; (MY) (For US Only).
SITI, Aishah Mohamad [MY/MY]; (MY) (For US Only).
SYONO, Mohd Ismahadi [MY/MY]; (MY) (For US Only).
LEE, Hing Wah [MY/MY]; (MY) (For US Only).
SHAHRIR, Rizal Kasjoo [MY/MY]; (MY) (For US Only)
Inventors: BUYONG, Muhamad Ramdzan; (MY).
ZAIN, Azlina Mohd; (MY).
SITI, Aishah Mohamad; (MY).
SYONO, Mohd Ismahadi; (MY).
LEE, Hing Wah; (MY).
SHAHRIR, Rizal Kasjoo; (MY)
Agent: MOHAN, K.; ADASTRA INTELLECTUAL PROPERTY SDN BHD P.O. Box 43, Suite 2B, Level 7 Menara Dato'Onn, Putra World Trade Centre 45 Jalan Tun Ismail 50480 Kuala Lumpur (MY)
Priority Data:
PI20071932 07.11.2007 MY
Abstract: front page image
(EN)A method for fabricating a micromechanical device comprises the steps of providing a substrate having a first dielectric layer on top surface of said substrate, a bottom conductive layer on top surface of said first dielectric layer, a second dielectric layer on said bottom conductive layer, a sacrificial layer on said second dielectric layer, a third dielectric layer on said sacrificial layer, and a top conductive layer on said third dielectric layer, etching a plurality of holes at said top conductive layer, then at said third dielectric layer and said sacrificial layer, and sealing said etched holes of said top conductive layer and third dielectric layer by depositing a fourth dielectric layer on top of said top conductive layer.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif micromécanique, qui comprend les étapes consistant à: prévoir un substrat comportant sur sa surface supérieure une première couche diélectrique, une couche conductrice inférieure formée sur la couche diélectrique, une deuxième couche diélectrique formée sur la couche conductrice inférieure, une couche sacrificielle formée sur la deuxième couche diélectrique, une troisième couche diélectrique formée sur la couche sacrificielle et une couche conductrice supérieure formée sur la troisième couche diélectrique; graver une pluralité de trous dans ladite couche conductrice supérieure, puis dans la troisième couche diélectrique et dans la couche sacrificielle; et obturer les trous gravés dans la couche conductrice supérieure et la troisième couche diélectrique en déposant une quatrième couche diélectrique sur la couche conductrice supérieure.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)