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1. (WO2009060913) METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL WAFER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/060913    International Application No.:    PCT/JP2008/070236
Publication Date: 14.05.2009 International Filing Date: 06.11.2008
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), B24B 1/00 (2006.01), C23C 16/56 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01)
Applicants: SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058634 (JP) (For All Designated States Except US).
TAKAISHI, Kazushige [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MIURA, Tomonori [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TAKAISHI, Kazushige; (JP).
MIURA, Tomonori; (JP)
Agent: ABE, Itsurou; ABE International Patent Office Complete Sakaimachi Bldg. 403 9-6, Sakaimachi 1-chome, Kokurakita-ku Kitakyushu-city, Fukuoka 8020005 (JP)
Priority Data:
2007-291339 08.11.2007 JP
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PLAQUETTE ÉPITAXIALE
(JA) エピタキシャルウェーハの製造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is an epitaxial wafer wherein particles generated in a device process due to scratches in a boundary region between the wafer rear surface and a chamfered surface are eliminated. Since the scratches in the boundary region between the rear surface and the chamfered surface are removed in a scratch removing step, particles generated from the scratches do not exist when the wafer is immersed in an etching solution in the device process, and yield of the device is improved.
(FR)L'invention concerne une plaquette épitaxiale dans laquelle la génération de particules lors d'un traitement de dispositif du fait de rayures dans une zone de limite entre la surface arrière de plaquette et une surface chanfreinée est éliminée. Etant donné que les rayures au niveau de la zone de limite entre la surface arrière et la surface chanfreinée sont éliminées au cours d'une étape d'élimination de rayures, des particules générées à partir des rayures n'existent pas lorsque la plaquette est immergée dans une solution d'attaque chimique lors du traitement de dispositif, et le rendement du dispositif est amélioré.
(JA) ウェーハ裏面と面取り面との境界領域の傷によるデバイス工程でのパーティクルをなくせるエピタキシャルウェーハを提供する。裏面と面取り面との境界領域の傷は、傷除去工程で除去するので、デバイス工程でのエッチング液浸漬時、傷から生じたパーティクルが存在せず、デバイスの歩留まりが高まる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)