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1. (WO2009060761) DOPANT HOST AND PROCESS FOR PRODUCING THE DOPANT HOST
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/060761    International Application No.:    PCT/JP2008/069552
Publication Date: 14.05.2009 International Filing Date: 28.10.2008
IPC:
H01L 21/223 (2006.01)
Applicants: NIPPON ELECTRIC GLASS CO., LTD. [JP/JP]; 7-1, Seiran 2-chome, Otsu-shi, Shiga 5208639 (JP) (For All Designated States Except US).
UMAYAHARA, Yoshio [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUZUKI, Ryota [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NISHIKAWA, Yoshikatsu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
IKEBE, Masaru [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MORI, Hiroki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HASEGAWA, Yoshinori [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: UMAYAHARA, Yoshio; (JP).
SUZUKI, Ryota; (JP).
NISHIKAWA, Yoshikatsu; (JP).
IKEBE, Masaru; (JP).
MORI, Hiroki; (JP).
HASEGAWA, Yoshinori; (JP)
Agent: METSUGI, Makoto; 6F, Daido Seimei Bldg., 5-4, Tanimachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400012 (JP)
Priority Data:
2007-291423 09.11.2007 JP
2007-332001 25.12.2007 JP
2008-211399 20.08.2008 JP
2008-245100 25.09.2008 JP
Title (EN) DOPANT HOST AND PROCESS FOR PRODUCING THE DOPANT HOST
(FR) HÔTE D'AGENT DOPANT ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) ドーパントホストおよびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)This invention provides a dopant host, which has high heat resistance and causes a large volatilization volume of B2O3, and a boron dope material for a semiconductor, which has a uniform quality of material can realize a stable amount of boron volatilization for each time of use and is inexpensive. The dopant host is characterized by comprising a laminate including a boron component volatilization layer having a composition comprising 20 to 50% by mole of SiO2, 30 to 60% by mole (exclusive of 30% by mole) of Al2O3, 10 to 40% by mole of B2O3, and 2 to 10% by mole of RO, wherein R represents an alkaline earth metal, or comprising 30 to 60% by mole of SiO2, 10 to 30% by mole of Al2O3, 15 to 50% by mole of B2O3, 2 to 10% by mole of RO, wherein R represents an alkaline earth metal, and a heat resistant layer comprising 8 to 30% by mole of SiO2, 50 to 85% by mole of Al2O3, 5 to 20% by mole of B2O3, and 0.5 to 7% by mole of RO, wherein R represents an alkaline earth metal. There is also provided a process for producing a boron dope material for a semiconductor, comprising the step of slurrying a starting material powder containing a boron-containing crystalline glass powder, the step of molding the slurry to prepare a green sheet, and the step of sintering the green sheet.
(FR)La présente invention concerne un hôte d'agent dopant qui possède une grande résistance thermique et qui permet de volatiliser un grand volume de B2O3, ainsi qu'un matériau dopant à base de bore pour un semi-conducteur, qui présente une qualité de matériau uniforme, qui permet de volatiliser une quantité stable de bore lors de chaque utilisation et qui est peu coûteux. L'hôte d'agent dopant est caractérisé en ce qu'il comprend un stratifié comprenant une couche de volatilisation du composant bore constituée de 20 à 50 % en moles de SiO2, de 30 % non inclus à 60 % en moles d'Al2O3, de 10 à 40 % en moles de B2O3 et de 2 à 10 % en moles de RO, où R représente un métal alcalino-terreux, ou constituée de 30 à 60 % en moles de SiO2, de 10 à 30 % en moles d'Al2O3, de 15 à 50 % en moles de B2O3, de 2 à 10 % en moles de RO, où R représente un métal alcalino-terreux, et une couche résistant à la chaleur constituée de 8 à 30 % en moles de SiO2, de 50 à 85 % en moles d'Al2O3, de 5 à 20 % en moles de B2O3 et de 0,5 à 7 % en moles de RO, où R représente un métal alcalino-terreux. L'invention concerne également un procédé de production d'un matériau dopant à base de bore pour un semi-conducteur, comprenant les étapes suivantes : la préparation d'une barbotine d'un matériau de départ en poudre comprenant une poudre de verre cristallin contenant du bore ; le moulage de la barbotine afin de préparer une feuille crue ; et le frittage de la feuille crue.
(JA) 耐熱性が高く、かつBの揮発量が多いドーパントホスト、及び材質が均一であり、揮発するホウ素の量が使用毎に安定しており、かつ安価な半導体用ホウ素ドープ材を提供することを目的とする。  SiO 20~50モル%、Al 30~60モル%(ただし、30モル%を含まない)、B 10~40モル%、RO(Rはアルカリ土類金属) 2~10モル%の組成を含有する、またはSiO 30~60モル%、Al 10~30モル%、B 15~50モル%、RO(Rはアルカリ土類金属) 2~10モル%の組成を含有するホウ素成分揮発層、およびSiO 8~30モル%、Al 50~85モル%、B 5~20モル%、RO(Rはアルカリ土類金属) 0.5~7モル%の組成を含有する耐熱層を含む積層体からなることを特徴とするドーパントホスト。ホウ素含有結晶性ガラス粉末を含む原料粉末をスラリー化する工程、得られたスラリーを成形してグリーンシートを得る工程、およびグリーンシートを焼結する工程を含む半導体用ホウ素ドープ材の製造方法。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)