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1. (WO2009060749) MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/060749    International Application No.:    PCT/JP2008/069498
Publication Date: 14.05.2009 International Filing Date: 28.10.2008
IPC:
H01L 43/08 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01)
Applicants: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku Tokyo 1088001 (JP) (For All Designated States Except US).
FUKAMI, Shunsuke [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ISHIWATA, Nobuyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUZUKI, Tetsuhiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NAGAHARA, Kiyokazu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
OHSHIMA, Norikazu [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: FUKAMI, Shunsuke; (JP).
ISHIWATA, Nobuyuki; (JP).
SUZUKI, Tetsuhiro; (JP).
NAGAHARA, Kiyokazu; (JP).
OHSHIMA, Norikazu; (JP)
Agent: KUDOH, Minoru; 6F, KADOYA BLDG., 24-10, Minamiooi 6-chome, Shinagawa-ku Tokyo 1400013 (JP)
Priority Data:
2007-287901 05.11.2007 JP
Title (EN) MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
(FR) ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTIF ET MÉMOIRE VIVE MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気抵抗効果素子、及び磁気ランダムアクセスメモリ
Abstract: front page image
(EN)A magnetoresistive element includes: a first free magnetization layer; a second free magnetization layer; a non-magnetic layer arranged to be adjacent to the second free magnetization layer; and a first fixed magnetization layer arranged to be adjacent to the non-magnetic layer and at the side opposite to the second free magnetization layer. The first free magnetization layer is formed from a ferromagnetic material and has a magnetic anisotropy in the film thickness direction. On the other hand, the second free magnetization layer and the first fixed magnetization layer are formed from a ferromagnetic material and have a magnetic anisotropy in the in-plane direction. The first free magnetization layer has: a first fixed magnetization region; a second fixed magnetization region; and a free magnetization region connected to the first fixed magnetization region and the second fixed magnetization region. The free magnetization region is magnetically connected to the second free magnetization region. Moreover, the center of gravity of the free magnetization region is shifted in a particular in-plane direction from the center of gravity of the second free magnetization layer.
(FR)L'invention concerne un élément magnétorésistif qui inclut : une première couche de magnétisation libre ; une seconde couche de magnétisation libre ; une couche non magnétique disposée de façon à être adjacente à la seconde couche de magnétisation libre ; et une première couche de magnétisation fixe disposée de façon à être adjacente à la couche non magnétique et du côté opposé à la deuxième couche de magnétisation libre. La première couche de magnétisation libre est constituée d'un matériau ferromagnétique et présente une anisotropie magnétique dans le sens de l'épaisseur du film. D'autre part, la seconde couche de magnétisation libre et la première couche de magnétisation fixe sont constituées d'un matériau ferromagnétique et présentent une anisotropie magnétique dans le sens du plan. La première couche de magnétisation libre présente : une première zone de magnétisation fixe ; une seconde zone de magnétisation fixe ; et une zone de magnétisation libre reliée à la première zone de magnétisation fixe et à la seconde zone de magnétisation fixe. La zone de magnétisation libre est reliée magnétiquement à la seconde zone de magnétisation libre. En outre, le centre de gravité de la zone de magnétisation libre est décalé dans un sens particulier dans le plan à partir du centre de gravité de la seconde couche de magnétisation libre.
(JA) 磁気抵抗効果素子が、第1磁化自由層と、第2磁化自由層と、第2磁化自由層に隣接して設けられる非磁性層と、非磁性層に隣接して第2磁化自由層とは反対側に設けられる第1磁化固定層とを具備する。第1磁化自由層は、強磁性体から構成され、且つ、膜厚方向の磁気異方性を有する。一方、第2磁化自由層及び第1磁化固定層は、強磁性体から構成され、面内方向の磁気異方性を有する。第1磁化自由層は、第1磁化固定領域と第2磁化固定領域と第1磁化固定領域と第2磁化固定領域とに接続された磁化自由領域とを有する。磁化自由領域と第2磁化自由層とは、磁気的に結合されている。加えて、磁化自由領域の重心と第2磁化自由層の重心とが面内方向である特定方向にずれて位置している。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)