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Pub. No.:    WO/2009/060670    International Application No.:    PCT/JP2008/067009
Publication Date: 14.05.2009 International Filing Date: 19.09.2008
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01)
Applicants: Sanken Electric Co., Ltd. [JP/JP]; 6-3, Kitano 3-chome, Niiza-shi, Saitama 3528666 (JP) (For All Designated States Except US).
TORII, Katsuyuki; (For US Only).
SHIOMI, Arata; (For US Only)
Inventors: TORII, Katsuyuki; .
SHIOMI, Arata;
Agent: MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower 2-8, Toranomon 1-chome Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Priority Data:
2007-291892 09.11.2007 JP
2007-328672 20.12.2007 JP
(JA) 半導体装置及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is a semiconductor device wherein breakage of an interlayer insulating film (12) and an electrode (13) due to bonding is eliminated, while ensuring bonding strength, and electrical characteristics are improved. A method for manufacturing such semiconductor device is also provided. A semiconductor element (1) mounted on the semiconductor device is provided with an interlayer insulating film (12) having an extending section (121), a connecting section (122) and an opening section (123). The extending section (121) covers a gate electrode (116) and extends in a first direction. The connecting section (122) connects, at fixed intervals in the first direction, the extending sections (121) which are adjacent to each other in a second direction. The opening section (123) has its opening shape defined by the extending section (121) and the connecting section (122) and exposes the main surface of a base region (112) and the main surface of an emitter region (113). A second width dimension (122W) in the first direction below the connecting section (122) is set larger than a first width dimension (121W) in the second direction in the emitter region (113) below the extending section (121) of the interlayer insulating film (12).
(FR)L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteur dans lequel une rupture d'un film isolant intercouche (12) et d'une électrode (13) en raison d'une liaison est éliminée, tout en assurant la force d'adhérence, et les caractéristiques électriques sont améliorées. L'invention porte également sur un procédé de fabrication d'un tel dispositif à semi-conducteur. Un élément semi-conducteur (1) monté sur le dispositif à semi-conducteur comporte un film isolant intercouche (12) ayant une section d'extension (121), une section de connexion (122) et une section d'ouverture (123). La section d'extension (121) couvre une électrode de grille (116) et s'étend dans une première direction. La section de connexion (122) connecte, à intervalle fixe dans la première direction, les sections d'extension (121) qui sont adjacentes l'une à l'autre dans une seconde direction. La section d'ouverture (123) a sa forme d'ouverture définie par la section d'extension (121) et la section de connexion (122) et expose la surface principale d'une région de base (112) et la surface principale d'une région d'émetteur (113). Une seconde dimension de largeur (122W) dans la première direction en dessous de la section de connexion (122) est réglée plus grande qu'une première dimension de largeur (121W) dans la seconde direction dans la région d'émetteur (113) en dessous de la section d'extension (121) du film isolant intercouche(12).
(JA) ボンディング強度を確保しつつ、ボンディングに伴う層間絶縁膜(12)の破壊や電極(13)の破壊を防止することができ、電気的特性を向上することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。半導体装置に搭載された半導体素子(1)は、ゲート電極(116)上を覆い第1の方向に延伸する延伸部(121)、第2の方向に隣接する延伸部(121)同士を第1の方向に一定間隔において連結する連結部(122)及び延伸部(121)と連結部(122)とにより開口形状が規定されベース領域(112)の主面とエミッタ領域(113)の主面とを露出する開口部(123)を有する層間絶縁膜(12)を備える。また、層間絶縁膜(12)の延伸部(121)下におけるエミッタ領域(113)の第2の方向の第1の幅寸法(121W)に比べて、連結部(122)下の第1の方向における第2の幅寸法(122W)が大きく設定されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)