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1. (WO2009059868) METHOD FOR PRODUCING MICROMECHANICAL STRUCTURES HAVING A PROTRUDING LATERAL WALL PROGRESSION OR AN ADJUSTABLE ANGLE OF INCLINATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/059868    International Application No.:    PCT/EP2008/063703
Publication Date: 14.05.2009 International Filing Date: 13.10.2008
IPC:
B81C 1/00 (2006.01)
Applicants: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20, 70442 Stuttgart (DE) (For All Designated States Except US).
LAERMER, Franz [DE/DE]; (DE) (For US Only).
FUCHS, Tino [DE/DE]; (DE) (For US Only).
LEINENBACH, Christina [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: LAERMER, Franz; (DE).
FUCHS, Tino; (DE).
LEINENBACH, Christina; (DE)
Common
Representative:
ROBERT BOSCH GMBH; Postfach 30 02 20, 70442 Stuttgart (DE)
Priority Data:
102007052661.1 05.11.2007 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON MIKROMECHANISCHEN STRUKTUREN MIT RELIEFARTIGEM SEITENWANDVERLAUF ODER EINSTELLBAREM NEIGUNGSWINKEL
(EN) METHOD FOR PRODUCING MICROMECHANICAL STRUCTURES HAVING A PROTRUDING LATERAL WALL PROGRESSION OR AN ADJUSTABLE ANGLE OF INCLINATION
(FR) PROCÉDÉ POUR PRODUIRE DES STRUCTURES MICROMÉCANIQUES COMPORTANT DES PAROIS LATÉRALES EN RELIEF ET UN ANGLE D'INCLINAISON VARIABLE
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Strukturen mit reliefartigem Seitenwandverlauf oder einstellbarem Neigungswinkel, wobei man die mikromechanischen Strukturen aus einer auf einem Silizium-Halbleitersubstrat (1, 10) vorhandenen oder abgeschiedenen SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) durch trockenchemisches Ätzen der SiGe-Mischhalbleiterschicht (3 a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) herausätzt, wobei man den Seitenwandverlauf der mikromechanischen Struktur durch Variieren des Germaniumanteils in der zu ätzenden SiGe-Mischhalbleiterschicht (3 a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) ausbildet, wobei in stärker zu ätzenden Bereichen ein höherer Germaniumanteil vorliegt, wobei man die Variation des Germaniumanteils in der SiGe- Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) durch ein Verfahren ausgewählt aus der Gruppe umfassend Abscheiden einer SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) mit variierendem Germaniumgehalt, Einbringen von Germanium in eine Silizium- Halbleiterschicht oder SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50), Einbringen von Silizium in eine Germaniumschicht oder SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) und/oder durch thermische Oxidation einer SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) einstellt.
(EN)The invention relates to a method for producing micromechanical structures having a raised lateral wall progression or an adjustable angle of inclination. The micromechanical structures are etched out of an SiGe-mixed semiconductor layer (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) provided on, or deposited on, a silicon semiconductor layer (1, 10), by dry-chemical etching of the SiGe-mixed semiconductor layer (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50). The lateral wall progression of the micromechanical structure is formed by varying the germanium part in the SiGe-mixed semiconductor layer (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) to be etched. There is a higher germanium part in regions that are to etched more aggressively. The variation of the germanium part in the SiGe-mixed semiconductor layer (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) is adjusted by a method selected from a group wherein an SiGe-mixed semiconductor layer (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) having a varying germanium content is deposited, wherein germanium is introduced into a silicon semiconductor layer or an SiGe-mixed semiconductor layer (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50), wherein silicon is introduced into a germanium layer or an SiGe-mixed semiconductor layer (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50), and/or wherein a SiGe-mixed semiconductor layer (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) is subjected to thermal oxidation.
(FR)L'invention concerne un procédé pour produire des structures micromécaniques comportant des parois latérales en relief et un angle d'inclinaison variable. Selon ce procédé, on obtient les structures micromécaniques à partir d'une couche de semi-conducteur mixte SiGe (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) présente ou déposée sur un substrat semi-conducteur en silicium (1, 10) par attaque chimique à sec de la couche de semi-conducteur mixte SiGe (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50); on forme les parois latérales de la structure micromécanique en faisant varier la proportion de germanium dans la couche de semi-conducteur mixte SiGe (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50), cette proportion étant plus élevée dans les zones soumises à l'attaque la plus forte; on fait varier la proportion de germanium dans la couche de semi-conducteur mixte SiGe (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) par l'intermédiaire d'un procédé sélectionné dans le groupe comprenant : dépôt d'une couche de semi-conducteur mixte SiGe (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) présentant une teneur en germanium variable, introduction de germanium dans une couche de semi-conducteur constituée de silicium ou d'une couche de semi-conducteur mixte SiGe (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50), introduction de silicium dans une couche de germanium ou dans une couche de semi-conducteur mixte SiGe (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) et/ou par oxydation thermique d'une couche de semi-conducteur mixte SiGe (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)