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1. (WO2009059786) ELECTROTHERMAL FOCUSSING FOR THE PRODUCTION OF MICRO-STRUCTURED SUBSTRATES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/059786    International Application No.:    PCT/EP2008/009419
Publication Date: 14.05.2009 International Filing Date: 07.11.2008
IPC:
B26F 1/28 (2006.01)
Applicants: PICODRILL SA [CH/CH]; Avenue des Boveresses 46B, CH-1010 Lausanne (CH) (For All Designated States Except US).
SCHMIDT, Christian [DE/CH]; (CH) (For US Only)
Inventors: SCHMIDT, Christian; (CH)
Agent: ENGELHARD, Markus; BOEHMERT & BOEHMERT Anwaltssozietät, Hollerallee 32, 28209 Bremen (DE)
Priority Data:
60/996,287 09.11.2007 US
Title (EN) ELECTROTHERMAL FOCUSSING FOR THE PRODUCTION OF MICRO-STRUCTURED SUBSTRATES
(FR) FOCALISATION ÉLECTROTHERMIQUE POUR LA PRODUCTION DE SUBSTRATS MICROSTRUCTURÉS
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to methods and devices for the production of micro-structured substrates and their application in natural sciences and technology, in particular in microfluidic and analysis devices and provides a method of introducing a structure, preferably a hole or cavity or channel or well or recess, in a region of an electrically insulating substrate (s), said method comprising the steps: a) providing an electrically insulating substrate (s), b) storing electrical energy across said substrate using an energy storage element (c) which is charged with said electrical energy, said energy storage element being electrically connected to said substrate, said electrical energy being sufficient to significantly heat, and/or melt and/or evaporate parts or all of a region of said substrate, c) applying additional energy, preferably heat, to said substrate or a region thereof to increase the electrical conductivity of said substrate or said region thereof, and thereby initiate a current flow and, subsequently, a dissipation of said stored electrical energy within the substrate and d) dissipating said stored electrical energy, wherein the rate of dissipating said stored electrical energy is controlled by a current and power modulating element, said current and power modulating element being part of the electrical connection between said energy storage element and said substrate. A device for performing the method is also provided.
(FR)L'invention porte sur des procédés et des dispositifs pour la production de substrats microstructurés et leur application aux sciences et à la technologie naturelles, en particulier dans des dispositifs microfluidiques et d'analyse. L'invention concerne un procédé d'introduction d'une structure, de préférence trou, cavité,canal, puits ou renfoncement dans une région de substrat(s) isolés électriquement, qui englobe les opérations suivantes; (a) utilisation d'un substrat isolé électriquement; (b) stockage d'énergie électrique aux bornes dudit substrat au moyen d'un élément de stockage d'énergie (c) chargé de ladite énergie électrique, ledit élément de stockage étant connecté électriquement audit substrat et ladite énergie étant suffisante pour, de manière sensible, chauffer et/ou faire fondre et/ou faire s'évaporer une partie du substrat en tout ou en partie; (c) application d'un surplus d'énergie, de préférence sous forme de chaleur, au substrat ou à une région du substrat avec, par la suite, dissipation de ladite énergie électrique stockée. Le taux de dissipation de l'énergie électrique stockée est commandé par un élément modulateur d'intensité et de puissance, lequel élément fait partie de la connexion entre l'élément de stockage de courant et le substrat. Est également décrit un dispositif de mise en oeuvre de ce procédé.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)