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1. (WO2009059237) NOVEL BISMUTH PRECURSORS FOR CVD/ALD OF THIN FILMS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/059237    International Application No.:    PCT/US2008/082134
Publication Date: 07.05.2009 International Filing Date: 31.10.2008
IPC:
C07F 9/94 (2006.01)
Applicants: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC. [US/US]; 7 Commerce Drive, Danbury, CT 06810-4169 (US) (For All Designated States Except US).
CHEN, Tianniu [CN/US]; (US) (For US Only).
XU, Chongying [US/US]; (US) (For US Only).
HENDRIX, Bryan, C. [US/US]; (US) (For US Only).
HUNKS, William [CA/US]; (US) (For US Only).
CAMERON, Thomas, M. [CA/US]; (US) (For US Only).
STENDER, Matthias [DE/US]; (US) (For US Only).
STAUF, Gregory, T. [US/US]; (US) (For US Only).
ROEDER, Jeffrey, F. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: CHEN, Tianniu; (US).
XU, Chongying; (US).
HENDRIX, Bryan, C.; (US).
HUNKS, William; (US).
CAMERON, Thomas, M.; (US).
STENDER, Matthias; (US).
STAUF, Gregory, T.; (US).
ROEDER, Jeffrey, F.; (US)
Agent: HULTQUIST, Steven, J.; Intellectual Property/technology Law, P.O. Box 14329, Research Triangle Park, NC 07709 (US)
Priority Data:
60/984,370 31.10.2007 US
61/050,179 02.05.2008 US
Title (EN) NOVEL BISMUTH PRECURSORS FOR CVD/ALD OF THIN FILMS
(FR) NOUVEAUX PRÉCURSEURS DE BISMUTH POUR DES CVD/ALD DE FILMS MINCES
Abstract: front page image
(EN)Bismuth precursors having utility for forming highly conformal bismuth-containing films by low temperature (< 300°C) vapor deposition processes such as CVD and ALD, including bismuth aminidates, bismuth guanidates, bismuth isoureates, bismuth carbamates and bismuth thiocarbamates, bismuth beta-diketonates, bismuth diketoiminates, bismuth diketiiminates, bismuth allyls, bismuth cyclopentadienyls, bismuth alkyls, bismuth alkoxides, and bismuth silyls with pendant ligands, bismuth silylamides, bismuth chelated amides, and bismuth ditelluroimidodiphosphinates. Also described are methods of making such precursors, and packaged forms of such precursors suitable for use in the manufacture of microelectronic device products. These bismuth precursors are usefully employed to form bismuth-containing films, such as films of GBT, Bi2Te3, Bi4Ti3O12, SrBi2Ta2O9, Bi- Ta-O, BiP and thermoelectric bismuth-containing films.
(FR)Selon l'invention, des précurseurs de bismuth présentent une utilité pour former des films à base de bismuth très conformes par des procédés de dépôt en phase vapeur à basse température (< 300 °C) tels que le CVD et l'ALD, y compris des aminidates de bismuth, des guanidates de bismuth, des isouréates de bismuth, des carbamates de bismuth et des thiocarbamates de bismuth, des bêta-dicétonates de bismuth, des dicétoiminates de bismuth, des dicétiiminates de bismuth, des allyles de bismuth, des cyclopentadiényles de bismuth, des alkyles de bismuth, des alcoxydes de bismuth, et des silyles de bismuth avec des ligands pendants, des silylamides de bismuth, des amides chelatés de bismuth et des ditelluroimidodiphosphinates de bismuth. L'invention décrit également des procédés de fabrication de tels précurseurs et des formes conditionnées de tels précurseurs appropriées pour utilisation dans la fabrication de dispositifs microélectroniques. Ces précurseurs de bismuth sont utilisés de façon utile pour former des films qui contiennent du bismuth, comme des films de GBT, de Bi2Te3, de Bi4Ti3O12, de SrBi2Ta2O9, de Bi- Ta-O, de BiP et des films thermoélectriques contenant du bismuth.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)