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1. (WO2009059071) HIGH SPEED LOW POWER MAGNETIC DEVICES BASED ON CURRENT INDUCED SPIN-MOMENTUM TRANSFER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/059071    International Application No.:    PCT/US2008/081893
Publication Date: 07.05.2009 International Filing Date: 30.10.2008
IPC:
G11C 11/15 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01)
Applicants: NEW YORK UNIVERSITY [US/US]; 70 Washington Square South, New York, NY 10012 (US) (For All Designated States Except US).
KENT, Andrew [US/US]; (US) (For US Only).
OZYILMAZ, Barbaros [TR/US]; (US) (For US Only).
GONZALEZ GARCIA, Enrique [ES/US]; (US) (For US Only)
Inventors: KENT, Andrew; (US).
OZYILMAZ, Barbaros; (US).
GONZALEZ GARCIA, Enrique; (US)
Agent: LUDWIG, Peter, S.; Darby & Darby P.C., P.O. Box 770, Church Street Station, New York, NY 10008-0770 (US)
Priority Data:
11/932,745 31.10.2007 US
Title (EN) HIGH SPEED LOW POWER MAGNETIC DEVICES BASED ON CURRENT INDUCED SPIN-MOMENTUM TRANSFER
(FR) DISPOSITIFS MAGNÉTIQUES DE FAIBLE PUISSANCE À GRANDE VITESSE BASÉS SUR UN TRANSFERT DE MOMENT DE SPIN INDUIT PAR UN COURANT
Abstract: front page image
(EN)A high speed and low power method to control and switch the magnetization direction and/or helicity of a magnetic region in a magnetic device for memory cells using spin polarized electrical current. The magnetic device comprises a reference magnetic layer with a fixed magnetic helicity and/or magnetization direction and a free magnetic layer with a changeable magnetic helicity. The fixed magnetic layer and the free magnetic layer are preferably separated by a non-magnetic layer, and the reference layer includes an easy axis perpendicular to the reference layer. A current can be applied to the device to induce a torque that alters the magnetic state of the device so that it can act as a magnetic memory for writing information. The resistance, which depends on the magnetic state of the device, is measured to thereby read out the information stored in the device.
(FR)La présente invention concerne un procédé de faible puissance et à grande vitesse permettant de commander et de commuter la direction de magnétisation et/ou l'hélicité d'une zone magnétique dans un dispositif magnétique destiné à des cellules mémoires en utilisant un courant électrique polarisé en spin. Le dispositif magnétique comprend une couche magnétique de référence ayant une hélicité magnétique et/ou une direction de magnétisation fixes et une couche magnétique libre ayant une hélicité magnétique variable. La couche magnétique fixe et la couche magnétique libre sont de préférence séparées par une couche non magnétique, et la couche de référence comprend un axe facile perpendiculaire à la couche de référence. Un courant peut être appliqué au dispositif de façon à induire un couple qui modifie l'état magnétique du dispositif de telle manière qu'il peut faire office de mémoire magnétique permettant d'écrire des informations. La résistance, qui dépend de l'état magnétique du dispositif, est mesurée de manière à lire ainsi les informations stockées dans le dispositif.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)