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1. (WO2009058695) COOL IMPACT-IONIZATION TRANSISTOR AND METHOD FOR MAKING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/058695    International Application No.:    PCT/US2008/081210
Publication Date: 07.05.2009 International Filing Date: 24.10.2008
IPC:
H01L 29/739 (2006.01), H01L 21/329 (2006.01), H01L 29/32 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Applicants: NORTHROP GRUMMAN SYSTEMS CORPORATION [US/US]; 1840 Century Park East Los Angeles, California 90067 (US) (For All Designated States Except US).
KNIGHT, Thomas J. [US/US]; (US) (For US Only).
STEWART, Eric J. [US/US]; (US) (For US Only).
SMITH, Joseph T. [US/US]; (US) (For US Only).
MCLAUGHLIN, Sean [US/US]; (US) (For US Only).
SINGH, Narsingh B. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: KNIGHT, Thomas J.; (US).
STEWART, Eric J.; (US).
SMITH, Joseph T.; (US).
MCLAUGHLIN, Sean; (US).
SINGH, Narsingh B.; (US)
Agent: HARRIS, Christopher, P.; Tarolli Sundheim, Covell & Tummino LLP 1300 East Ninth Street, Suite 1700 Cleveland, Ohio 44114 (US)
Priority Data:
60/983,663 30.10.2007 US
Title (EN) COOL IMPACT-IONIZATION TRANSISTOR AND METHOD FOR MAKING SAME
(FR) TRANSISTOR À IONISATION PAR CHOC FROID ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)In one embodiment, the disclosure relates to a low-power semiconductor switching device, having a substrate supporting thereon a semiconductor body; a source electrode coupled to the semiconductor body at a source interface region; a drain electrode coupled to the semiconductor body at a drain interface region; a gate oxide film formed over a region of the semiconductor body, the gate oxide film interfacing between a gate electrode and the semiconductor body; wherein at least one of the source interface region or the drain interface region defines a sharp junction into the semiconductor body.
(FR)Dans un mode de réalisation, l'invention porte sur un dispositif de commutation semi-conducteur basse puissance, ayant un substrat supportant sur celui-ci un corps semi-conducteur ; une électrode de source couplée au corps semi-conducteur au niveau d'une région d'interface de source ; une électrode de drain couplée au corps semi-conducteur au niveau d'une région d'interface de drain ; un film d'oxyde de grille formé sur une région du corps semi-conducteur, le film d'oxyde de grille s'interfaçant entre une électrode de grille et le corps semi-conducteur ; au moins l'une de la région d'interface de source ou de la région d'interface de drain définissant une jonction nette dans le corps semi-conducteur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)