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1. (WO2009057669) METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/057669    International Application No.:    PCT/JP2008/069708
Publication Date: 07.05.2009 International Filing Date: 23.10.2008
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP) (For All Designated States Except US).
YAMAZAKI, Shunpei [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ARAI, Yasuyuki; (For US Only)
Inventors: YAMAZAKI, Shunpei; (JP).
ARAI, Yasuyuki;
Priority Data:
2007-285252 01.11.2007 JP
2007-285253 01.11.2007 JP
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
Abstract: front page image
(EN)A photoelectric conversion device which is excellent in photoelectric conversion characteristics is provided by effectively utilizing silicon semiconductor materials. The present invention relates to a method for manufacturing a photoelectric conversion device using a solar cell, in which a plurality of single crystal semiconductor substrates in each of which a damaged layer is formed at a predetermined depth is arranged over a supporting substrate having an insulating surface; a surface layer part of the single crystal semiconductor substrate is separated thinly using the damaged layer as a boundary so as to form a single crystal semiconductor layer over one surface of the supporting substrate; and the single crystal semiconductor layer is irradiated with a laser beam from a surface side which is exposed by separation of the single crystal semiconductor layer to planarize the surface of the single crystal semiconductor layer.
(FR)L'invention concerne un dispositif de conversion photoélectrique qui présente d'excellentes caractéristiques de conversion photoélectrique et qui est fourni en utilisant efficacement des matériaux semi-conducteurs de silicium. La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif de conversion photoélectrique utilisant une pile solaire, où une pluralité de substrats semi-conducteurs monocristallins, dans chacun desquels une couche endommagée est formée à une profondeur prédéterminée, est disposée sur un substrat de support ayant une surface isolante ; une partie de couche de surface du substrat semi-conducteur monocristallin est finement séparée en utilisant la couche endommagée comme frontière de sorte à former une couche semi-conductrice monocristalline sur une surface du substrat de support ; et la couche semi-conductrice monocristalline est irradiée par un faisceau laser d'un côté de surface qui est exposé par la séparation de la couche semi-conductrice monocristalline afin de planariser la surface de la couche semi-conductrice monocristalline.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)