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1. (WO2009057665) THIN FILM ACTIVE ELEMENT GROUP, THIN FILM ACTIVE ELEMENT ARRAY, ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE, DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM ACTIVE ELEMENT GROUP
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/057665    International Application No.:    PCT/JP2008/069697
Publication Date: 07.05.2009 International Filing Date: 29.10.2008
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP) (For All Designated States Except US).
MATSUMURO, Tomonori [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KASAHARA, Kenji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NISHIOKA, Yukiya [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MATSUMURO, Tomonori; (JP).
KASAHARA, Kenji; (JP).
NISHIOKA, Yukiya; (JP)
Agent: HAYASHI, Shigenori; 5F, Shinjuku Square Tower, 22-1, Nishi-Shinjuku 6-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1631105 (JP)
Priority Data:
2007-283111 31.10.2007 JP
Title (EN) THIN FILM ACTIVE ELEMENT GROUP, THIN FILM ACTIVE ELEMENT ARRAY, ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE, DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM ACTIVE ELEMENT GROUP
(FR) GROUPE D'ÉLÉMENTS ACTIFS À FILM MINCE, RÉSEAU D'ÉLÉMENTS ACTIFS À FILM MINCE, DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT ORGANIQUE, DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU GROUPE D'ÉLÉMENTS ACTIFS À FILM MINCE
(JA) 薄膜能動素子群、薄膜能動素子アレイ、有機発光装置、表示装置および薄膜能動素子群の製造方法
Abstract: front page image
(EN)Simplicity of manufacture of an organic thin film transistor group is improved and manufacturing cost is further suppressed. The thin film active element group is provided with a driving active element and a switching active element. In the driving active element, a semiconductor channel layer is formed in a channel region between a source electrode and a drain electrode. The switching active element has a semiconductor channel layer formed in the channel region between the source electrode and the drain electrode, and switches the driving active element. The driving active element and the switching active element are formed at an interval in the channel width direction. The driving active element and the switching active element are formed so that a straight line to which the channel region of the driving active element belongs and a straight line to which the channel region of the switching active element belongs are parallel to each other.
(FR)L'invention permet d'améliorer la simplicité de fabrication d'un groupe de transistors à film mince organiques et de réduire le coût de fabrication. Le groupe d'éléments actifs à film mince est doté d'un élément actif d'entraînement et d'un élément actif de commutation. Dans l'élément actif d'entraînement, une couche de canal semi-conductrice est formée dans une région de canal entre une électrode source et une électrode drain. L'élément actif de commutation comporte une couche de canal semi-conductrice formée dans la région de canal entre l'électrode source et l'électrode drain, et commute l'élément actif d'entraînement. L'élément actif d'entraînement et l'élément actif de commutation sont formés à un certain intervalle dans la direction de largeur du canal. L'élément actif d'entraînement et l'élément actif de commutation sont formés de sorte qu'une ligne droite à laquelle appartient la région de canal de l'élément actif d'entraînement et une ligne droite à laquelle appartient la région de canal de l'élément actif de commutation sont parallèles.
(JA) 有機薄膜トランジスタ群の製造の簡便性を高めて、さらに製造コストを抑制する。ソース電極およびドレイン電極の間のチャネル領域に半導体のチャネル層が形成されてなる駆動能動素子と、ソース電極およびドレイン電極の間のチャネル領域に半導体のチャネル層が形成されてなるスイッチ能動素子であって、前記駆動能動素子をスイッチングするスイッチ能動素子と、を備え、前記駆動能動素子および前記スイッチ能動素子は、互いにチャネル幅の方向において離間して形成され、前記駆動能動素子の前記チャネル領域が属する直線と前記スイッチ能動素子の前記チャネル領域が属する直線とが平行になるよう、前記駆動能動素子および前記スイッチ能動素子が形成された薄膜能動素子群が提供される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)