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1. (WO2009057660) HALF-TONE MASK, HALF-TONE MASK BLANK AND METHOD FOR MANUFACTURING HALF-TONE MASK
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/057660    International Application No.:    PCT/JP2008/069691
Publication Date: 07.05.2009 International Filing Date: 29.10.2008
IPC:
H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: ULVAC COATING CORPORATION [JP/JP]; 2804 Terao, Chichibu-shi, Saitama 3680056 (JP) (For All Designated States Except US).
KAGEYAMA, Kagehiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YAMADA, Fumihiko [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KAGEYAMA, Kagehiro; (JP).
YAMADA, Fumihiko; (JP)
Agent: ONDA, Hironori; 12-1, Ohmiya-cho 2-chome, Gifu-shi, Gifu 5008731 (JP)
Priority Data:
2007-284734 01.11.2007 JP
Title (EN) HALF-TONE MASK, HALF-TONE MASK BLANK AND METHOD FOR MANUFACTURING HALF-TONE MASK
(FR) MASQUE À DEMI-TEINTES, ÉBAUCHE DE MASQUE À DEMI-TEINTES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TEL MASQUE
(JA) ハーフトーンマスク、ハーフトーンマスクブランクス、及びハーフトーンマスクの製造方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a half-tone mask wherein versatility of the etching stopper layer is improved. Specifically, a half-tone mask (10) is provided with a transmitting section (TA) wherein a glass substrate (S) is used; a first semi-transmitting section (HA) which includes a first semi-transmitting layer (11) formed on the glass substrate; and a light blocking section (PA), which includes the first semi-transmitting layer, a light blocking layer (13) stacked above the first semi-transmitting layer, and an etching stopper layer (12) formed between the first semi-transmitting layer and the light blocking layer. The first semi-transmitting layer and the light blocking layer are respectively composed of at least one type of material selected from among a group composed of Cr, Cr oxide, nitride, carbide, oxynitride, oxycarbide, carbonitride and oxycarbonitride. The etching stopper layer contains at least one first element selected from among a group composed of Fe, Ni and Co, and at least one second element selected from among a group composed of Al, Si, Ti, Nb, Ta, Hf and Zr.
(FR)La présente invention concerne un masque à demi-teintes dans lequel la polyvalence de la couche d'arrêt de gravure chimique est améliorée. En particulier, un masque à demi-teintes (10) est doté d'une partie de transmission (TA) dans laquelle un substrat en verre (S) est utilisé ; d'une première partie de semi-transmission (HA) qui comprend une première couche de semi-transmission (11) formée sur le substrat en verre ; et d'une partie de blocage de lumière (PA) qui comprend la première couche de semi-transmission, une couche de blocage de lumière (13) empilée au-dessus de la première couche de semi-transmission et une couche d'arrêt de gravure chimique (12) formée entre la première couche de semi-transmission et la couche de blocage de lumière. La première couche de semi-transmission et la couche de blocage de lumière sont respectivement composées d'au moins un type de matériau choisi dans un groupe composé de Cr, oxyde de Cr, nitrure, carbure, oxynitrure, oxycarbure, carbonitrure et oxycarbonitrure. La couche d'arrêt de gravure chimique contient au moins un premier élément choisi dans un groupe composé de Fe, Ni et Co et au moins un second élément choisi dans un groupe composé d'Al, de Si, de Ti, de Nb, de Ta, de Hf et de Zr.
(JA) エッチングストッパ層の汎用性を向上したハーフトーンマスク。ハーフトーンマスク(10)は、ガラス基板(S)を利用した透過部(TA)と、ガラス基板上に形成された第1半透過層(11)を含む第1半透過部(HA)と、第1半透過層、第1半透過層より上方に積層された遮光層(13)、及び第1半透過層と遮光層との間に形成されたエッチングストッパ層(12)を含む遮光部(PA)とを備える。第1半透過層及び遮光層の各々は、Cr、あるいはCrの酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、酸化炭化物、窒化炭化物、酸化窒化炭化物からなる群から選択された少なくともいずれか一種からなる。エッチングストッパ層は、Fe、Ni、Coからなる群から選択された少なくともいずれか一種の第1元素と、Al、Si、Ti、Nb、Ta、Hf、Zrからなる群から選択された少なくともいずれか一種の第2元素とを含む。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)