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1. (WO2009057582) ELECTRICAL CONNECTION BODY AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/057582    International Application No.:    PCT/JP2008/069514
Publication Date: 07.05.2009 International Filing Date: 28.10.2008
IPC:
H01L 21/60 (2006.01)
Applicants: SONY CHEMICAL & INFORMATION DEVICE CORPORATION [JP/JP]; Gate City Osaki East Tower 8F, 11-2, Osaki 1-chomeShinagawa-ku, Tokyo 1410032 (JP) (For All Designated States Except US).
ELECTROPLATING ENGINEERS OF JAPAN LIMITED [JP/JP]; 2-7-3 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP) (For All Designated States Except US).
KONISHI, Misao [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TANAKA, Yoshito [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SAITO, Shobu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KAWAHARA, Shinya [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KONISHI, Misao; (JP).
TANAKA, Yoshito; (JP).
SAITO, Shobu; (JP).
KAWAHARA, Shinya; (JP).
ISHIKAWA, Etsuko;
Agent: SATO, Masaru; SATO AND ASSOCIATES, 3-1 Ariake, Kouto-ku Tokyo 1358071 (JP)
Priority Data:
2007-279941 29.10.2007 JP
Title (EN) ELECTRICAL CONNECTION BODY AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
(FR) ORGANE DE RACCORDEMENT ÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 電気的接続体及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)There is provided an electrical connection body capable of, even when conductive particles included in an anisotropic conductive film have small particle diameters, uniformly collapsing these conductive particles and obtaining preferable conductive characteristics. The electrical connection body has a semiconductor element (1) that is a first electronic member and a wiring substrate (3) that is a second electronic member, both electrically connected with each other through an anisotropic conductive film (5). On one of the electric members (the semiconductor element (1) in an example of this invention), bumps (projection electrodes) (2) are formed, the tops of which have flat surfaces having a surface roughness Ra of 0.05 &mgr;m or less. The conductive particles (6) included in the anisotropic conductive film (5) have an average particle diameter of 4 &mgr;m or less.
(FR)L'invention concerne un organe de raccordement électrique capable, même lorsque des particules conductrices incluses dans un film conducteur anisotrope possèdent de faibles diamètres de particules, d'éliminer uniformément ces particules conductrices et d'obtenir des caractéristiques conductrices préférables. L'organe de raccordement électrique possède un élément semi-conducteur (1) qui est un premier élément électronique et un substrat de câblage (3) qui est un second élément électronique, qui sont tous deux reliés électriquement l'un à l'autre par un film conducteur anisotrope (5). Sur l'un des éléments électriques (l'élément semi-conducteur (1) dans un exemple de la présente invention), des bosses (électrodes de projection) (2) sont formées, et leurs sommets possèdent des surfaces planes qui présentent une rugosité de surface Ra de 0,05 &mgr;m ou moins. Les particules conductrices (6) incluses dans le film conducteur anisotrope (5) possèdent un diamètre moyen de particules der 4 &mgr;m ou moins.
(JA) 異方性導電膜に含まれる導電性粒子の粒子径が小さい場合であっても、これを均一に潰すことが可能であり、良好な導通特性を得ることが可能な電気的接続体を提供する。  電気的接続体は、第1の電子部材である半導体素子1と第2の電子部材である配線基板3とが異方性導電膜5を介して電気的に接続されて構成される。いずれか一方の電子部材(ここでは半導体素子1)には、バンプ(突起電極)2が形成されており、バンプ2の頂部は、表面粗さRaが0.05μm以下の平坦面とされている。異方性導電膜5に含まれる導電性粒子6の平均粒径は、4μm以下である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)