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1. (WO2009057241) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE USING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/057241    International Application No.:    PCT/JP2008/002558
Publication Date: 07.05.2009 International Filing Date: 17.09.2008
IPC:
H01L 33/38 (2010.01)
Applicants: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
HORI, Atsuhiro; (For US Only).
KAMEI, Hidenori; (For US Only).
MAEDA, Syuusaku; (For US Only)
Inventors: HORI, Atsuhiro; .
KAMEI, Hidenori; .
MAEDA, Syuusaku;
Agent: MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg. 5-7, Hommachi 2-chome, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
Priority Data:
2007-285000 01.11.2007 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE USING THE SAME
(FR) ELÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTANT DE LA LUMIÈRE ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTANT DE LA LUMIÈRE L'UTILISANT
(JA) 半導体発光素子およびそれを用いた半導体発光装置
Abstract: front page image
(EN)[PROBLEMS] In a semiconductor light emitting device in which a light emitting layer is formed on one side of a conductive substrate and n-type and p-type electrodes are formed on the same side as the side on which the light emitting layer is formed, there has been a problem that, as an applied power increases, heat is generated in the proximity of the n-side electrode, causing a degradation in light emitting efficiency. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] The n-side electrode is formed in a shape such that it has a given length along an edge of the substrate to allow a current from the n-side electrode to the substrate to be distributed, therebyavoiding the heat generation in the proximity of the n-side electrode. In a semiconductor light emitting element of this type, the existence of the n-side electrode reduces an area for light emission. Accordingly, the length of the n-side electrode is preferably 20% to 50% of an entire perimeter of the substrate.
(FR)Le problème à résoudre dans le cadre de la présente invention porte sur le fait que, dans un dispositif semi-conducteur émettant de la lumière dans lequel une couche émettant de la lumière est formée sur un côté d'un substrat conducteur et des électrodes de type n et de type p sont formées sur le même côté que le côté sur lequel la couche émettant de la lumière est formée, de la chaleur est générée à proximité de l'électrode de côté n à mesure qu'une puissance appliquée augmente, ce qui provoque une dégradation du rendement d'émission de lumière. La solution proposée est de conférer à l'électrode de côté n une forme telle qu'elle a une longueur donnée le long d'un bord du substrat pour permettre à un courant allant de l'électrode de côté n au substrat d'être distribué, évitant ainsi la génération de chaleur à proximité de l'électrode de côté n. Dans un élément semi-conducteur émettant de la lumière de ce type, l'existence de l'électrode de côté n réduit une surface pour l'émission de lumière. En conséquence, la longueur de l'électrode de côté n est de préférence de 20 % à 50 % d'un périmètre entier du substrat.
(JA)【課題】導電性基板の一方に発光層を形成し、発光層を形成した同じ側にn型電極とp型電極を形成した半導体発光装置では、投入電力が大きくなるとn側電極の近傍で発熱が生じ発光効率が低下するという課題があった。 【解決手段】n側電極を基板の縁に沿って一定の長さを有する形状とし、n側電極から基板への電流を分散させ、n側電極近傍での発熱を回避する。このタイプの半導体発光素子は、n側電極の存在は発光面積を減少させる。そのため、n側電極長は基板全周長の20%以上50%以下にするのが好適である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)