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Pub. No.:    WO/2009/057223    International Application No.:    PCT/JP2007/071393
Publication Date: 07.05.2009 International Filing Date: 02.11.2007
Chapter 2 Demand Filed:    15.05.2008    
H01L 21/304 (2006.01)
Applicants: Canon ANELVA Corporation [JP/JP]; 2-5-1 Kurigi, Asao-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2158550 (JP) (For All Designated States Except US).
SEINO, Takuya [JP/JP]; (JP) (For US Only).
IKEMOTO, Manabu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MASHIMO, Kimiko [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SEINO, Takuya; (JP).
IKEMOTO, Manabu; (JP).
MASHIMO, Kimiko; (JP)
Agent: OKABE, Masao; No. 602, Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Priority Data:
(JA) 表面処理装置およびその基板処理方法
Abstract: front page image
(EN)This invention provides a surface treating apparatus which, despite dry treatment in which HF-derived radicals generated in a plasma production chamber are supplied through an introduction hole into a treatment chamber and HF gas molecules are supplied as a treatment gas around the radical introduction hole to suppress excitation energy and thus to enhance selectivity for Si to remove a natural oxide film, can realize surface treatment capable of realizing good surface flatness equivalent to wet washing requiring elevated temperature treatment, and can grow a Si single crystal film on the surface treated substrate. The amount of impurities such as oxygen and carbon is small on the surface of the substrate after the Si single crystal film formation. Hf or the like is sputtered on the Si single crystal film grown surface followed by oxidation and nitriding to form a dielectric insulating film such as an HfO insulating film. A metal electrode film is then formed. These steps are carried out without the exposure of the substrate to the air, impurity adsorption on the interface can be suppressed, and a C-V curve having a small hysteresis can be provided. Accordingly, in MOS-FET, good device properties can be realized.
(FR)L'invention porte sur un appareil de traitement de surface qui, malgré un traitement à sec dans lequel des radicaux issus de HF générés dans une chambre de production de plasma sont fournis à travers un trou d'introduction à l'intérieur d'une chambre de traitement et des molécules de gaz HF sont fournies sous forme de gaz de traitement autour du trou d'introduction de radicaux pour supprimer l'énergie d'excitation et, ainsi, pour améliorer la sélectivité pour Si pour éliminer un film d'oxyde naturel, peut réaliser un traitement en surface capable de réaliser une bonne planéité de surface équivalente à un lavage à l'état humide nécessitant un traitement à température élevée, et peut développer un film monocristallin de Si sur le substrat traité en surface. La quantité d'impuretés, telles que l'oxygène et le carbone, est faible sur la surface du substrat après la formation du film monocristallin de Si. On pulvérise Hf ou similaire sur la surface développée du film monocristallin de Si en faisant suivre par une oxydation et une nitruration pour former un film isolant diélectrique tel qu'un film isolant de HfO. Un film d'électrode métallique est ensuite formé. Ces étapes sont réalisées sans l'exposition du substrat à l'air, l'adsorption d'impuretés sur l'interface peut être supprimée, et une courbe C-V présentant une faible hystérèse peut être fournie. En conséquence, dans un transistor à effet de champ métal-oxyde semi-conducteur (MOS-FET), il est possible d'obtenir de bonnes propriétés de dispositif.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)