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1. (WO2009057223) SURFACE TREATING APPARATUS AND METHOD FOR SUBSTRATE TREATMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/057223    International Application No.:    PCT/JP2007/071393
Publication Date: 07.05.2009 International Filing Date: 02.11.2007
Chapter 2 Demand Filed:    15.05.2008    
IPC:
H01L 21/304 (2006.01)
Applicants: Canon ANELVA Corporation [JP/JP]; 2-5-1 Kurigi, Asao-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2158550 (JP) (For All Designated States Except US).
SEINO, Takuya [JP/JP]; (JP) (For US Only).
IKEMOTO, Manabu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MASHIMO, Kimiko [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SEINO, Takuya; (JP).
IKEMOTO, Manabu; (JP).
MASHIMO, Kimiko; (JP)
Agent: OKABE, Masao; No. 602, Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Priority Data:
Title (EN) SURFACE TREATING APPARATUS AND METHOD FOR SUBSTRATE TREATMENT
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SURFACE ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 表面処理装置およびその基板処理方法
Abstract: front page image
(EN)This invention provides a surface treating apparatus which, despite dry treatment in which HF-derived radicals generated in a plasma production chamber are supplied through an introduction hole into a treatment chamber and HF gas molecules are supplied as a treatment gas around the radical introduction hole to suppress excitation energy and thus to enhance selectivity for Si to remove a natural oxide film, can realize surface treatment capable of realizing good surface flatness equivalent to wet washing requiring elevated temperature treatment, and can grow a Si single crystal film on the surface treated substrate. The amount of impurities such as oxygen and carbon is small on the surface of the substrate after the Si single crystal film formation. Hf or the like is sputtered on the Si single crystal film grown surface followed by oxidation and nitriding to form a dielectric insulating film such as an HfO insulating film. A metal electrode film is then formed. These steps are carried out without the exposure of the substrate to the air, impurity adsorption on the interface can be suppressed, and a C-V curve having a small hysteresis can be provided. Accordingly, in MOS-FET, good device properties can be realized.
(FR)L'invention porte sur un appareil de traitement de surface qui, malgré un traitement à sec dans lequel des radicaux issus de HF générés dans une chambre de production de plasma sont fournis à travers un trou d'introduction à l'intérieur d'une chambre de traitement et des molécules de gaz HF sont fournies sous forme de gaz de traitement autour du trou d'introduction de radicaux pour supprimer l'énergie d'excitation et, ainsi, pour améliorer la sélectivité pour Si pour éliminer un film d'oxyde naturel, peut réaliser un traitement en surface capable de réaliser une bonne planéité de surface équivalente à un lavage à l'état humide nécessitant un traitement à température élevée, et peut développer un film monocristallin de Si sur le substrat traité en surface. La quantité d'impuretés, telles que l'oxygène et le carbone, est faible sur la surface du substrat après la formation du film monocristallin de Si. On pulvérise Hf ou similaire sur la surface développée du film monocristallin de Si en faisant suivre par une oxydation et une nitruration pour former un film isolant diélectrique tel qu'un film isolant de HfO. Un film d'électrode métallique est ensuite formé. Ces étapes sont réalisées sans l'exposition du substrat à l'air, l'adsorption d'impuretés sur l'interface peut être supprimée, et une courbe C-V présentant une faible hystérèse peut être fournie. En conséquence, dans un transistor à effet de champ métal-oxyde semi-conducteur (MOS-FET), il est possible d'obtenir de bonnes propriétés de dispositif.
(JA)プラズマ生成室で発生したHF由来のラジカルを導入孔を通して処理室に供給し、ラジカル導入孔付近から処理ガスとしてHFガス分子を供給することにより励起エネルギーを抑制し、これによりSiに対して選択性を高めて自然酸化膜除去をする、ドライ処理にもかかわらず、高温での処理の必要なWet洗浄と同等の良好な表面平坦性を有する表面処理を行うことができ、さらに表面処理後の基板にSi単結晶膜を成長することが可能となる。Si単結晶膜成膜後の表面には酸素や炭素等の不純物が少ない。Si単結晶膜成長表面にHf等をスパッタした後、酸化・窒化しHfO等の誘電体絶縁膜を形成し、金属電極膜を形成する。これらの工程中、基板は大気に晒されることなく行われ、界面の不純物吸着が抑制され、ヒステリシスの小さいC-V曲線が得られるので、MOS-FETにあって良好なデバイス特性が実現される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)