(EN) A drive circuit (1) for a power switch component (3) comprises an input terminal (21) for receiving a drive pulse, a first (5) and a second semiconductor component (7), each having a controllable terminal, a voltage amplifying terminal and a current amplifying terminal, the current amplifying terminals of said first and second transistors being interconnected, the voltage amplifying terminal of the first semiconductor component (5) being connected to a first power rail (13) and the voltage amplifying terminal of the second semiconductor component (7) being connected to a second power rail (15), the first power rail (13) being at a higher potential than the second power rail (15), the controllable terminals of the first and second semiconductor components being interconnected, a resistor (17) and a diode (19) being connected in parallel between said controllable terminals and the input terminal (21), and a capacitor (23) being connected between said controllable terminals and said current amplifying terminals, wherein each of said semiconductor components (5, 7) has a diode (9, 11) connected between its current amplifying terminal and its voltage amplifying terminal.
(FR) L'invention porte sur un circuit d'attaque (1) pour un composant de commutateur de puissance (3) qui comprend une borne d'entrée (21) pour recevoir une impulsion d'attaque, un premier (5) et un second composant semi-conducteur (7), ayant chacun une borne commandable, une borne d'amplification de tension et une borne d'amplification de courant, les bornes d'amplification de courant desdits premier et second transistors étant interconnectées, la borne d'amplification de tension du premier composant semi-conducteur (5) étant connectée à un premier rail d'alimentation (13) et la borne d'amplification de tension du second composant semi-conducteur (7) étant connectée à un second rail d'alimentation (15), le premier rail d'alimentation (13) étant à un potentiel supérieur au second rail d'alimentation (15), les bornes commandables des premier et second composants semi-conducteurs étant interconnectées, une résistance (17) et une diode (19) étant connectées en parallèle entre lesdites bornes commandables et la borne d'entrée (21), et un condensateur (23) étant connecté entre lesdites bornes commandables et lesdites bornes d'amplification de courant, chacun desdits composants semi-conducteurs (5, 7) ayant une diode (9, 11) connectée entre sa borne d'amplification de courant et sa borne d'amplification de tension.