[PROBLEMS] To improve the etching rate of silicon. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] Water in an amount necessary for bringing the dew point of a mixed gas composed of CF₄ as a fluorine material and Ar to 10°C to 40°C is added to the mixed gas, and the mixture is plasmatized at the atmospheric pressure. The plasmatized gas is mixed with an ozone-containing gas from an ozonizer (13) to prepare a reaction gas. The reaction gas contains not less than 1% by volume of ozone, a non-radical fluorine-type intermediate such as COF_2, and not less than 0.4% by volume of a non-radical fluorine-type reactant such as HF. The ratio between the number of fluorine atoms (F) and the number of hydrogen atoms (H) is (F)/(H) > 1.8. This reaction gas is sprayed against a silicon film (91) (object material) having a temperature of 10°C to 50°C.

L'invention vise à améliorer la vitesse de gravure du silicium. À cet effet, on ajoute à du gaz mixte de l'eau en quantité suffisante pour amener le point de rosée du gaz mixte composé de CF₄ en tant que matériau de fluor et de Ar à 10°C à 40°C. Le mélange est plasmatisé à la pression atmosphérique. Le gaz plasmatisé est mélangé à un gaz contenant de l'ozone provenant d'un ozoneur (13) pour préparer un gaz de réaction qui ne contient pas moins de 1 % en volume d'ozone; un intermédiaire de type fluor non radical tel que COF_2, ; pas moins de 0,4 % en volume d'un réactif de type fluor non radical tel que HF; et dans lequel le rapport entre le nombre d'atomes de fluor (F) et le nombre d'atomes d'hydrogène (H) est (F)/(H) > 1,8. Ce gaz de réaction est pulvérisé sur un film de silicium (91) (matériau objet) à une température allant de 10°C à 50°C.

【課題】シリコンのエッチングレートを向上させる。 【解決手段】フッ素系原料のＣＦ_４とＡｒの混合ガスに露点が１０°C～４０°Cになる量の水を添加して、大気圧下でプラズマ化する。プラズマ化後のガスをオゾナイザー１３からのオゾン含有ガスと混合し、反応ガスを得る。反応ガスは、１ｖｏｌ％以上のオゾンと、ＣＯＦ_２等の非ラジカルのフッ素系中間物質と、０．４ｖｏｌ％以上のＨＦ等のフッ素系反応物質を含み、フッ素原子数（Ｆ）と水素原子数（Ｈ）の比が（Ｆ）／（Ｈ）＞１．８である。この反応ガスを、温度１０°C～５０°Cのシリコン膜９１（被処理物）に吹付ける。